GA1210H123MXXAT31G是一款高性能的射頻功率放大器芯片,主要應(yīng)用于�(wú)線通信系統(tǒng)中的信號(hào)放大。該芯片具有高增�、低噪聲和高線性度的特�(diǎn),適合用�4G LTE�5G NR基站等設(shè)備中�
該芯片采用先�(jìn)的GaAs(砷化鎵)工藝制�,能夠在高頻段下提供出色的性能表現(xiàn),并且內(nèi)置了多種保護(hù)�(jī)制以確保其在�(fù)雜環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行�
型號(hào):GA1210H123MXXAT31G
工作頻率范圍�3.4GHz-3.6GHz
輸出功率�40W
增益�15dB
效率�45%
電源電壓�28V
靜態(tài)電流�2A
封裝形式:QFN48
工作溫度范圍�-40℃至+85�
這款射頻功率放大器芯片采用了高效的熱管理�(shè)�(jì),能夠有效降低芯片的工作溫度,從而提升整體系�(tǒng)的可靠��
此外,GA1210H123MXXAT31G還集成了自動(dòng)�(fù)載調(diào)諧功�,可�(dòng)�(tài)�(diào)整輸出匹配網(wǎng)�(luò)以優(yōu)化性能�
芯片�(nèi)部還具備�(guò)壓保�(hù)、過(guò)流保�(hù)以及�(guò)溫關(guān)斷等功能,極大提升了�(chǎn)品在�(shí)際應(yīng)用中的安全��
其寬泛的工作頻率范圍和較高的輸出功率使其非常適合�(xiàn)代通信基礎(chǔ)�(shè)施的需求,尤其是在需要覆蓋大范圍區(qū)域的基站部署��
GA1210H123MXXAT31G廣泛�(yīng)用于�(wú)線通信�(lǐng)域,包括但不限于�
- 4G LTE基站
- 5G NR小基�
- 微波回傳系統(tǒng)
- 固定�(wú)線接入(FWA)設(shè)�
- 工業(yè)物聯(lián)�(wǎng)通信模塊
- 高速數(shù)�(jù)鏈路�(shè)�
GA1210H123MXXBT31G
GA1210H124MXXAT31G
PA3600MMX28V40W