GA1210H123MXXAT31G是一款高性能的射頻功率放大器芯片,主要應(yīng)用于無(wú)線通信系統(tǒng)中的信號(hào)放大。該芯片具有高增益、低噪聲和高線性度的特點(diǎn),適合用于4G LTE和5G NR基站等設(shè)備中。
該芯片采用先進(jìn)的GaAs(砷化鎵)工藝制造,能夠在高頻段下提供出色的性能表現(xiàn),并且內(nèi)置了多種保護(hù)機(jī)制以確保其在復(fù)雜環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。
型號(hào):GA1210H123MXXAT31G
工作頻率范圍:3.4GHz-3.6GHz
輸出功率:40W
增益:15dB
效率:45%
電源電壓:28V
靜態(tài)電流:2A
封裝形式:QFN48
工作溫度范圍:-40℃至+85℃
這款射頻功率放大器芯片采用了高效的熱管理設(shè)計(jì),能夠有效降低芯片的工作溫度,從而提升整體系統(tǒng)的可靠性。
此外,GA1210H123MXXAT31G還集成了自動(dòng)負(fù)載調(diào)諧功能,可動(dòng)態(tài)調(diào)整輸出匹配網(wǎng)絡(luò)以優(yōu)化性能。
芯片內(nèi)部還具備過(guò)壓保護(hù)、過(guò)流保護(hù)以及過(guò)溫關(guān)斷等功能,極大提升了產(chǎn)品在實(shí)際應(yīng)用中的安全性。
其寬泛的工作頻率范圍和較高的輸出功率使其非常適合現(xiàn)代通信基礎(chǔ)設(shè)施的需求,尤其是在需要覆蓋大范圍區(qū)域的基站部署中。
GA1210H123MXXAT31G廣泛應(yīng)用于無(wú)線通信領(lǐng)域,包括但不限于:
- 4G LTE基站
- 5G NR小基站
- 微波回傳系統(tǒng)
- 固定無(wú)線接入(FWA)設(shè)備
- 工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)通信模塊
- 高速數(shù)據(jù)鏈路設(shè)備
GA1210H123MXXBT31G
GA1210H124MXXAT31G
PA3600MMX28V40W