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時(shí)間：2025/5/29 9:00:50
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GA1210H123MXXAT31G是一款高性能的射頻功率放大器芯片，主要應(yīng)用于無(wú)線通信系統(tǒng)中的信號(hào)放大。該芯片具有高增益、低噪聲和高線性度的特點(diǎn)，適合用于4G LTE和5G NR基站等設(shè)備中。
該芯片采用先進(jìn)的GaAs（砷化鎵）工藝制造，能夠在高頻段下提供出色的性能表現(xiàn)，并且內(nèi)置了多種保護(hù)機(jī)制以確保其在復(fù)雜環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。
型號(hào)：GA1210H123MXXAT31G
工作頻率范圍：3.4GHz-3.6GHz
輸出功率：40W
增益：15dB
效率：45%
電源電壓：28V
靜態(tài)電流：2A
封裝形式：QFN48
工作溫度范圍：-40℃至+85℃
這款射頻功率放大器芯片采用了高效的熱管理設(shè)計(jì)，能夠有效降低芯片的工作溫度，從而提升整體系統(tǒng)的可靠性。
此外，GA1210H123MXXAT31G還集成了自動(dòng)負(fù)載調(diào)諧功能，可動(dòng)態(tài)調(diào)整輸出匹配網(wǎng)絡(luò)以優(yōu)化性能。
芯片內(nèi)部還具備過(guò)壓保護(hù)、過(guò)流保護(hù)以及過(guò)溫關(guān)斷等功能，極大提升了產(chǎn)品在實(shí)際應(yīng)用中的安全性。
其寬泛的工作頻率范圍和較高的輸出功率使其非常適合現(xiàn)代通信基礎(chǔ)設(shè)施的需求，尤其是在需要覆蓋大范圍區(qū)域的基站部署中。
GA1210H123MXXAT31G廣泛應(yīng)用于無(wú)線通信領(lǐng)域，包括但不限于：
- 4G LTE基站
- 5G NR小基站
- 微波回傳系統(tǒng)
- 固定無(wú)線接入（FWA）設(shè)備
- 工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)通信模塊
- 高速數(shù)據(jù)鏈路設(shè)備
GA1210H123MXXBT31G
GA1210H124MXXAT31G
PA3600MMX28V40W
IC型號(hào)索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
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