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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1210H123MXXAT31G

GA1210H123MXXAT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/29 9:00:50 查看 閱讀�11

GA1210H123MXXAT31G是一款高性能的射頻功率放大器芯片,主要應(yīng)用于�(wú)線通信系統(tǒng)中的信號(hào)放大。該芯片具有高增�、低噪聲和高線性度的特�(diǎn),適合用�4G LTE�5G NR基站等設(shè)備中�
  該芯片采用先�(jìn)的GaAs(砷化鎵)工藝制�,能夠在高頻段下提供出色的性能表現(xiàn),并且內(nèi)置了多種保護(hù)�(jī)制以確保其在�(fù)雜環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行�

參數(shù)

型號(hào):GA1210H123MXXAT31G
  工作頻率范圍�3.4GHz-3.6GHz
  輸出功率�40W
  增益�15dB
  效率�45%
  電源電壓�28V
  靜態(tài)電流�2A
  封裝形式:QFN48
  工作溫度范圍�-40℃至+85�

特�

這款射頻功率放大器芯片采用了高效的熱管理�(shè)�(jì),能夠有效降低芯片的工作溫度,從而提升整體系�(tǒng)的可靠��
  此外,GA1210H123MXXAT31G還集成了自動(dòng)�(fù)載調(diào)諧功�,可�(dòng)�(tài)�(diào)整輸出匹配網(wǎng)�(luò)以優(yōu)化性能�
  芯片�(nèi)部還具備�(guò)壓保�(hù)、過(guò)流保�(hù)以及�(guò)溫關(guān)斷等功能,極大提升了�(chǎn)品在�(shí)際應(yīng)用中的安全��
  其寬泛的工作頻率范圍和較高的輸出功率使其非常適合�(xiàn)代通信基礎(chǔ)�(shè)施的需求,尤其是在需要覆蓋大范圍區(qū)域的基站部署��

�(yīng)�

GA1210H123MXXAT31G廣泛�(yīng)用于�(wú)線通信�(lǐng)域,包括但不限于�
  - 4G LTE基站
  - 5G NR小基�
  - 微波回傳系統(tǒng)
  - 固定�(wú)線接入(FWA)設(shè)�
  - 工業(yè)物聯(lián)�(wǎng)通信模塊
  - 高速數(shù)�(jù)鏈路�(shè)�

替代型號(hào)

GA1210H123MXXBT31G
  GA1210H124MXXAT31G
  PA3600MMX28V40W

ga1210h123mxxat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.012 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定25V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-