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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > GA1210H154KXXAR31G

GA1210H154KXXAR31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/26 20:48:35 查看 閱讀�15

GA1210H154KXXAR31G 是一款高性能� MOSFET 功率晶體�,屬� GaN(氮化鎵)技術產品系�。該器件采用先進的增強� GaN HEMT 技�,具備低導通電�、高開關速度和卓越的熱性能,廣泛應用于高頻開關電源、DC-DC 轉換器以及各類高效能功率轉換系統(tǒng)中�
  這款芯片通過�(yōu)化設�,能夠顯著降低功率損耗并提升整體效率,同時其封裝形式支持高效的散熱管理,非常適合對體積和效率要求極高的應用場��

參數(shù)

類型:增強型 MOSFET
  材料:GaN (氮化�)
  最大漏源電�(Vds)�650V
  連續(xù)漏極電流(Id)�15A
  導通電�(Rds(on))�150mΩ
  柵極電荷(Qg)�80nC
  反向恢復時間(trr)�<40ns
  工作結溫范圍�-55� to +150�

特�

GA1210H154KXXAR31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導通電� Rds(on),確保在高電流應用中實現(xiàn)更低的傳導損��
  2. 高速開關性能,柵極電� Qg �,可顯著減少開關損��
  3. 采用先進的 GaN 技�,提供更高的效率和更小的物理尺寸�
  4. 支持高達 650V 的漏源電�,適用于寬范圍的高壓應用場景�
  5. 具備良好的熱�(wěn)定�,能夠在較寬的溫度范圍內可靠運行�
  6. �(yōu)秀� EMI 特�,有助于簡化濾波器設計并滿足嚴格的電磁兼容性要求�
  7. 可靠性高,經(jīng)過嚴格的質量測試流程以確保長期穩(wěn)定運��

應用

該型號芯片的主要應用領域包括�
  1. 高頻 AC-DC � DC-DC 轉換��
  2. 開關電源(SMPS�,例� PC 電源、服務器電源��
  3. 電動汽車充電設備中的功率模塊�
  4. 工業(yè)級電機驅動和逆變��
  5. LED 照明驅動電路�
  6. 太陽能微型逆變器和其他可再生能源相關設��
  7. 快速充電適配器� USB-PD 控制器方��

替代型號

GAN065-150E3LS, IRGB4064DPBF

ga1210h154kxxar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • 產品狀�(tài)在售
  • 電容0.15 μF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定25V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-