GA1210H154KXXAR31G 是一款高性能� MOSFET 功率晶體�,屬� GaN(氮化鎵)技術產品系�。該器件采用先進的增強� GaN HEMT 技�,具備低導通電�、高開關速度和卓越的熱性能,廣泛應用于高頻開關電源、DC-DC 轉換器以及各類高效能功率轉換系統(tǒng)中�
這款芯片通過�(yōu)化設�,能夠顯著降低功率損耗并提升整體效率,同時其封裝形式支持高效的散熱管理,非常適合對體積和效率要求極高的應用場��
類型:增強型 MOSFET
材料:GaN (氮化�)
最大漏源電�(Vds)�650V
連續(xù)漏極電流(Id)�15A
導通電�(Rds(on))�150mΩ
柵極電荷(Qg)�80nC
反向恢復時間(trr)�<40ns
工作結溫范圍�-55� to +150�
GA1210H154KXXAR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導通電� Rds(on),確保在高電流應用中實現(xiàn)更低的傳導損��
2. 高速開關性能,柵極電� Qg �,可顯著減少開關損��
3. 采用先進的 GaN 技�,提供更高的效率和更小的物理尺寸�
4. 支持高達 650V 的漏源電�,適用于寬范圍的高壓應用場景�
5. 具備良好的熱�(wěn)定�,能夠在較寬的溫度范圍內可靠運行�
6. �(yōu)秀� EMI 特�,有助于簡化濾波器設計并滿足嚴格的電磁兼容性要求�
7. 可靠性高,經(jīng)過嚴格的質量測試流程以確保長期穩(wěn)定運��
該型號芯片的主要應用領域包括�
1. 高頻 AC-DC � DC-DC 轉換��
2. 開關電源(SMPS�,例� PC 電源、服務器電源��
3. 電動汽車充電設備中的功率模塊�
4. 工業(yè)級電機驅動和逆變��
5. LED 照明驅動電路�
6. 太陽能微型逆變器和其他可再生能源相關設��
7. 快速充電適配器� USB-PD 控制器方��
GAN065-150E3LS, IRGB4064DPBF