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GA1210Y182JBEAT31G 發(fā)布時間 時間�2025/6/12 0:25:50 查看 閱讀�7

GA1210Y182JBEAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專為高效率、高頻開�(guān)�(yīng)用而設(shè)�。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具有較低的�(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度,適用于各種電源管理場景,如 DC-DC �(zhuǎn)換器、開�(guān)電源以及電機(jī)�(qū)動等。其封裝形式緊湊,能夠有效節(jié)省電路板空間,并提供出色的散熱性能�
  該型號屬于增�(qiáng)� N 溝道 MOSFET 系列,主要面向工�(yè)級和消費(fèi)級市�,具備卓越的可靠性和�(wěn)定��

參數(shù)

類型:N溝道MOSFET
  耐壓值:60V
  連續(xù)漏極電流�40A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�2.5mΩ
  柵極電荷�70nC
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  封裝形式:TO-247-3
  功耗:250W

特�

GA1210Y182JBEAT31G 的主要特�(diǎn)是其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,使其非常適合大功率應(yīng)�。同時,該器件具有快速的開關(guān)速度和較低的柵極電荷,從而減少了開關(guān)損耗并提高了整體效��
  此外,它還具有良好的熱穩(wěn)定性和魯棒�,在極端�(huán)境條件下也能保持可靠的性能表現(xiàn)�
  由于采用了優(yōu)化的�(nèi)部結(jié)�(gòu)�(shè)�,該芯片能夠在高頻工作時表現(xiàn)出優(yōu)異的動態(tài)特�,同時其堅固的封裝形式�(jìn)一步增�(qiáng)了產(chǎn)品的耐用性和抗干擾能��

�(yīng)�

這款功率 MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器
  2. 電機(jī)�(qū)動與控制
  3. 太陽能逆變�
  4. 工業(yè)自動化設(shè)�
  5. 電動汽車充電系統(tǒng)
  6. LED �(qū)動電�
  其高效率和高可靠性使其成為這些�(yīng)用中的理想選��

替代型號

GA1210Y182JBEAT31H, IRF2807Z, FDP057AN

ga1210y182jbeat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容1800 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定500V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-