GA1210Y182JBEAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專為高效率、高頻開�(guān)�(yīng)用而設(shè)�。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具有較低的�(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度,適用于各種電源管理場景,如 DC-DC �(zhuǎn)換器、開�(guān)電源以及電機(jī)�(qū)動等。其封裝形式緊湊,能夠有效節(jié)省電路板空間,并提供出色的散熱性能�
該型號屬于增�(qiáng)� N 溝道 MOSFET 系列,主要面向工�(yè)級和消費(fèi)級市�,具備卓越的可靠性和�(wěn)定��
類型:N溝道MOSFET
耐壓值:60V
連續(xù)漏極電流�40A
�(dǎo)通電阻(典型值)�2.5mΩ
柵極電荷�70nC
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-247-3
功耗:250W
GA1210Y182JBEAT31G 的主要特�(diǎn)是其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,使其非常適合大功率應(yīng)�。同時,該器件具有快速的開關(guān)速度和較低的柵極電荷,從而減少了開關(guān)損耗并提高了整體效��
此外,它還具有良好的熱穩(wěn)定性和魯棒�,在極端�(huán)境條件下也能保持可靠的性能表現(xiàn)�
由于采用了優(yōu)化的�(nèi)部結(jié)�(gòu)�(shè)�,該芯片能夠在高頻工作時表現(xiàn)出優(yōu)異的動態(tài)特�,同時其堅固的封裝形式�(jìn)一步增�(qiáng)了產(chǎn)品的耐用性和抗干擾能��
這款功率 MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器
2. 電機(jī)�(qū)動與控制
3. 太陽能逆變�
4. 工業(yè)自動化設(shè)�
5. 電動汽車充電系統(tǒng)
6. LED �(qū)動電�
其高效率和高可靠性使其成為這些�(yīng)用中的理想選��
GA1210Y182JBEAT31H, IRF2807Z, FDP057AN