MTD2N50ET4是一款高性能的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)器件,專為高效率、高頻率開關(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。該型號采用N溝道增強(qiáng)型技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于多種電源管理場景,包括開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)動等�
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
額定電壓�500V
額定電流�2A
�(dǎo)通電阻:3.5Ω(典型�,@VGS=10V�
柵極電荷�16nC(最大值)
輸入電容�420pF(典型值)
開關(guān)時間:開通時�25ns,關(guān)斷時�15ns
�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
MTD2N50ET4的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
1. 高耐壓能力:該器件支持高達(dá)500V的漏源極擊穿電壓,能夠適�(yīng)高壓�(yīng)用場��
2. 低導(dǎo)通電阻:在特定的工作條件下,�(dǎo)通電阻僅�3.5Ω,從而減少了功率損耗并提升了系�(tǒng)效率�
3. 快速開�(guān)性能:憑借極低的開關(guān)時間和柵極電�,這款MOSFET非常適合高頻開關(guān)電路�
4. �(wěn)定性強(qiáng):具備良好的熱穩(wěn)定性和電氣�(wěn)定�,確保長時間�(yùn)行下的可靠表�(xiàn)�
5. 小型化封裝:通常采用緊湊型表面貼裝封裝形�,節(jié)省PCB空間,適合小型化�(shè)�(jì)需��
MTD2N50ET4廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源:用于AC-DC或DC-DC�(zhuǎn)換中的高頻開�(guān)�
2. 電機(jī)�(qū)動:適用于小功率直流電機(jī)控制�
3. 電子�(fù)載保�(hù):提供過流保�(hù)功能�
4. 脈寬�(diào)制(PWM)控制器:實(shí)�(xiàn)高效的脈沖信號處��
5. 其他電力電子�(shè)備:如逆變�、電池管理系�(tǒng)(BMS)等�
IRF540N
STP55NF06L
FQP27P06