GA1210Y182KXEAR31G 是一款高性能的射頻功率放大器芯片,廣泛應(yīng)用于�(wú)線通信系統(tǒng)中。該芯片采用先�(jìn)� GaN(氮化鎵)工藝制�,具有高效率、高增益和寬帶寬的特�(diǎn),能夠滿足現(xiàn)代通信�(shè)備對(duì)射頻信號(hào)放大需��
此型�(hào)適用于多種射頻場(chǎng)�,例如基�、雷�(dá)以及�(wèi)星通信等,能夠在高頻條件下提供�(wěn)定的性能表現(xiàn)�
工作頻率范圍�3.3 GHz � 4.2 GHz
輸出功率�40 W(典型值)
增益�15 dB(典型值)
效率�65%(典型值)
供電電壓�28 V
封裝形式:Ceramic Flange
GA1210Y182KXEAR31G 的主要特�(diǎn)是其采用了氮化鎵技�(shù),這種技�(shù)帶來(lái)了更高的功率密度和更小的熱阻,從而實(shí)�(xiàn)了更好的散熱效果與更高的可靠��
此外,該芯片在較寬的工作頻率范圍�(nèi)表現(xiàn)出色,具備良好的線性度和穩(wěn)定�,適合需要長(zhǎng)�(shí)間運(yùn)行的�(yīng)用場(chǎng)��
它的高效率顯著降低了功�,減少了�(duì)冷卻系統(tǒng)的需�,同�(shí)其高增益特性簡(jiǎn)化了�(shè)�(jì)�(guò)程中的匹配網(wǎng)�(luò)�(fù)雜度�
由于其優(yōu)異的電氣性能和機(jī)械性能,這款芯片非常適合用于惡劣�(huán)境下的應(yīng)�,如軍事雷達(dá)或工�(yè)�(jí)通信�(shè)備�
該芯片的主要�(yīng)用領(lǐng)域包括但不限于以下:
1. �(wú)線通信基站:為 LTE�5G 等新一代通信�(biāo)�(zhǔn)提供可靠的射頻功率放大支��
2. 雷達(dá)系統(tǒng):可用于氣象雷達(dá)、空中交通管制雷�(dá)以及其他需要高功率射頻信號(hào)放大的場(chǎng)��
3. �(wèi)星通信:在地面站設(shè)備中用作上行鏈路信號(hào)放大器�
4. 工業(yè)、科�(xué)和醫(yī)� (ISM) �(shè)備:在需要高功率射頻能量傳輸?shù)�?yīng)用中�(fā)揮重要作��
5. �(cè)試與�(cè)量設(shè)備:提供精確且可重復(fù)的射頻信�(hào)源�
GA1210Y182KXEAR31H, GA1210Y182KXEAR31F