GA1210Y183JXLAT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,專為高效率、高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。該型號(hào)采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及消費(fèi)類電子設(shè)備中。其封裝形式通常為表面貼裝類型,適合自動(dòng)化生�(chǎn)�
型號(hào):GA1210Y183JXLAT31G
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電壓Vds�60V
最大柵源電壓Vgs:�20V
連續(xù)漏極電流Id�12A
�(dǎo)通電阻Rds(on)�1.5mΩ(典型�,在Vgs=10V�(shí)�
總功耗Ptot�75W
工作溫度范圍Tj�-55°C to +175°C
封裝形式:TO-252 (DPAK)
GA1210Y183JXLAT31G的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少�(dǎo)通損耗,提升整體效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)能力,適用于高頻PWM控制電路�
3. 高擊穿電�,確保在�(fù)雜電路環(huán)境下具有良好的穩(wěn)定��
4. �(yōu)化的熱性能�(shè)�(jì),可有效降低工作溫度,延�(zhǎng)使用壽命�
5. 支持表面貼裝技�(shù)(SMT),便于大�(guī)模生�(chǎn)和自�(dòng)化組��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�
該器件通過(guò)先�(jìn)的制程技�(shù)�(shí)�(xiàn)了低�(kāi)�(guān)損耗和高可靠�,是許多高效能功率轉(zhuǎn)換系�(tǒng)中的理想選擇�
GA1210Y183JXLAT31G被廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)及AC-DC適配��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器和同步整流電路�
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控��
4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)�,如筆記本電腦和平板電腦的充電電路�
5. 工業(yè)�(jí)電機(jī)�(qū)�(dòng)和逆變��
6. LED照明�(qū)�(dòng)電路�
其高效率和耐用性使其成為這些�(yīng)用場(chǎng)景中的關(guān)鍵組��
GA1210Y183JXLAT31H, IRF540N, FDP5500