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GA1210Y184MBBAR31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/30 18:00:15 查看 閱讀�21

GA1210Y184MBBAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應用于開關電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及負載開關等領域。該器件采用先進的制造工�,具有低導通電阻和高開關速度的特點,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
  該型號是為滿足工�(yè)級應用而設計,能夠在較寬的工作溫度范圍�(nèi)�(wěn)定運�,同時具備優(yōu)異的抗電磁干擾能��

參數(shù)

類型:N溝道MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�120V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�10A
  導通電�(Rds(on))�18mΩ
  柵極電荷(Qg)�65nC
  工作溫度范圍�-55� to +175�

特�

GA1210Y184MBBAR31G的主要特性包括:
  1. 極低的導通電�,有助于減少導通損耗并提高整體效率�
  2. 高速開關性能,適合高頻應用場��
  3. 較寬的工作溫度范圍,適應各種惡劣�(huán)��
  4. 強大的熱�(wěn)定性,確保長時間運行的安全��
  5. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛封��
  6. �(yōu)化的ESD防護設計,增強了芯片的可靠��

應用

這款功率MOSFET適用于多種場�,包括但不限于以下領域:
  1. 開關電源(SMPS)中的主開關管�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器的同步整流管或開關管�
  3. 電機�(qū)動電路中的功率級元件�
  4. 負載開關和保護電路中的電子開��
  5. 工業(yè)自動化設備中的功率控制模塊�
  6. 汽車電子系統(tǒng)中的高壓�(qū)動組��

替代型號

IRFZ44N
  STP10NK60Z
  FDP15U20A
  IXTH10N120T2

ga1210y184mbbar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.18 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-