GA1210Y184MBBAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應用于開關電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及負載開關等領域。該器件采用先進的制造工�,具有低導通電阻和高開關速度的特點,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
該型號是為滿足工�(yè)級應用而設計,能夠在較寬的工作溫度范圍�(nèi)�(wěn)定運�,同時具備優(yōu)異的抗電磁干擾能��
類型:N溝道MOSFET
最大漏源電�(Vds)�120V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�10A
導通電�(Rds(on))�18mΩ
柵極電荷(Qg)�65nC
工作溫度范圍�-55� to +175�
GA1210Y184MBBAR31G的主要特性包括:
1. 極低的導通電�,有助于減少導通損耗并提高整體效率�
2. 高速開關性能,適合高頻應用場��
3. 較寬的工作溫度范圍,適應各種惡劣�(huán)��
4. 強大的熱�(wěn)定性,確保長時間運行的安全��
5. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛封��
6. �(yōu)化的ESD防護設計,增強了芯片的可靠��
這款功率MOSFET適用于多種場�,包括但不限于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)中的主開關管�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器的同步整流管或開關管�
3. 電機�(qū)動電路中的功率級元件�
4. 負載開關和保護電路中的電子開��
5. 工業(yè)自動化設備中的功率控制模塊�
6. 汽車電子系統(tǒng)中的高壓�(qū)動組��
IRFZ44N
STP10NK60Z
FDP15U20A
IXTH10N120T2