GA1210Y223JBJAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)動和�(fù)載切換等�(lǐng)�。該器件采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具備低�(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能,能夠有效提高系�(tǒng)效率并降低功耗�
該芯片通常以表面貼裝形式封�,適合自動化生產(chǎn),并能在高頻工作條件下保持穩(wěn)定性能。其�(shè)�(jì)充分考慮了電磁兼容性和可靠性要求,適用于工�(yè)、消�(fèi)電子以及汽車電子等多種場��
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
持續(xù)漏極電流(Id)�30A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�4.5mΩ
總功�(Ptot)�280W
�(jié)溫范�(Tj)�-55� to +175�
封裝形式:TO-247-3
1. 極低的導(dǎo)通電�,能夠顯著減少傳�(dǎo)損�,提升整體效率�
2. 高速開�(guān)性能,支持高頻應(yīng)�,降低開�(guān)損耗�
3. 具備良好的熱�(wěn)定�,即使在極端溫度條件下也能保證可靠運(yùn)��
4. �(nèi)置ESD保護(hù)電路,增�(qiáng)了器件的抗靜電能��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
6. 良好的電氣隔離特性和耐壓能力,確保長�(shí)間使用中的安全��
1. 開關(guān)電源(SMPS)�(shè)�(jì)中的主開�(guān)元件�
2. 電機(jī)�(qū)動電路中的功率級控制�
3. 工業(yè)�(shè)備中的負(fù)載切換與保護(hù)�
4. 新能源領(lǐng)域如太陽能逆變器的�(guān)鍵功率轉(zhuǎn)換組��
5. 汽車電子中的直流電機(jī)�(qū)動及電源管理�
6. 各類需要大電流、低損耗的電力電子系統(tǒng)�
IRF540N
STP30NF06L
FDP5500
AO3400