GA1210Y273JBJAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應用于工業(yè)和汽車領域中的開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動等場景。該芯片采用先進的溝槽式技�(shù)制�,具有低導通電阻和高電流承載能力,能夠顯著提升系統(tǒng)的效率與�(wěn)定��
這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強型器件,支持快速開�(guān)操作,并且在高溫�(huán)境下依然表現(xiàn)出色。其封裝形式為行�(yè)標準的表面貼裝類型(� DPAK � D2PAK�,便于自動化生產(chǎn)和集成到復雜電路��
最大漏源電壓:120V
連續(xù)漏極電流�40A
導通電阻:1.5mΩ
柵極電荷�85nC
開關(guān)時間:典型� 9ns(開啟)/ 15ns(關(guān)閉)
工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高電流處理能�,適用于大功率應用場��
3. 快速開�(guān)性能,適合高頻工作的電路設計�
4. 強大的熱管理能力,能夠在極端溫度條件下可靠運��
5. 具備出色的抗雪崩能力和靜電防護功�,確保長期使用的�(wěn)定��
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保無鉛工藝生�(chǎn)�
1. 開關(guān)電源模塊中的主開�(guān)管或同步整流��
2. 電動車輛中的電機控制器及電池管理系統(tǒng)�
3. 工業(yè)自動化設備中的負載切換與保護�
4. LED 照明�(qū)動電路中的功率調(diào)節(jié)單元�
5. 太陽能逆變器及其他可再生能源相�(guān)設備的核心組��
6. 各種 DC-DC �(zhuǎn)換器和升�/降壓拓撲�(jié)�(gòu)的關(guān)鍵元件�
IRF3205, FDP55N10, STP120NF10L