時(shí)間：2025/5/22 11:34:27
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GA1210Y273MBCAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動和直流-直流轉(zhuǎn)換等應(yīng)用。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和良好的熱性能，適用于需要高效能和高可靠性的電子系統(tǒng)。
該器件為 N 溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管，其設(shè)計(jì)能夠承受較高的電壓和電流負(fù)載，同時(shí)保持較低的能量損耗。此外，它還具備內(nèi)置保護(hù)功能，如過流保護(hù)和過溫關(guān)斷，進(jìn)一步增強(qiáng)了其在復(fù)雜電路環(huán)境中的穩(wěn)定性。
最大漏源電壓：120V
最大柵源電壓：±20V
連續(xù)漏極電流：10A
導(dǎo)通電阻：27mΩ
柵極電荷：35nC
開關(guān)時(shí)間：開啟時(shí)間 15ns，關(guān)閉時(shí)間 18ns
工作溫度范圍：-55°C 至 +175°C
1. 極低的導(dǎo)通電阻，可有效降低傳導(dǎo)損耗，提高整體效率。
2. 高速開關(guān)能力，支持高頻 PWM 控制，非常適合現(xiàn)代電源管理方案。
3. 內(nèi)置過流和過溫保護(hù)機(jī)制，確保器件在極端條件下仍能安全運(yùn)行。
4. 采用緊湊型封裝，節(jié)省 PCB 空間，便于小型化設(shè)計(jì)。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且滿足全球法規(guī)要求。
6. 具備強(qiáng)大的雪崩能力，可以承受瞬態(tài)高壓沖擊。
1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) 和適配器。
2. 直流-直流轉(zhuǎn)換器和升壓/降壓電路。
3. 電機(jī)控制與驅(qū)動，例如無刷直流電機(jī) (BLDC)。
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)模塊。
5. 太陽能逆變器和其他新能源相關(guān)設(shè)備。
6. 汽車電子系統(tǒng)，如電動助力轉(zhuǎn)向 (EPS) 和制動系統(tǒng)。
IRFZ44N, FDP18N10, AO3400A
