GA1210Y273MBCAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)動和直流-直流�(zhuǎn)換等�(yīng)�。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和良好的熱性能,適用于需要高效能和高可靠性的電子系統(tǒng)�
該器件為 N 溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體�,其�(shè)�(jì)能夠承受較高的電壓和電流�(fù)載,同時(shí)保持較低的能量損�。此�,它還具備內(nèi)置保�(hù)功能,如過流保護(hù)和過溫關(guān)�,�(jìn)一步增�(qiáng)了其在復(fù)雜電路環(huán)境中的穩(wěn)定性�
最大漏源電壓:120V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�10A
�(dǎo)通電阻:27mΩ
柵極電荷�35nC
開關(guān)�(shí)間:開啟�(shí)� 15ns,關(guān)閉時(shí)� 18ns
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
1. 極低的導(dǎo)通電�,可有效降低傳導(dǎo)損�,提高整體效��
2. 高速開�(guān)能力,支持高� PWM 控制,非常適合現(xiàn)代電源管理方��
3. �(nèi)置過流和過溫保護(hù)�(jī)制,確保器件在極端條件下仍能安全�(yùn)��
4. 采用緊湊型封裝,節(jié)� PCB 空間,便于小型化�(shè)�(jì)�
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足全球法規(guī)要求�
6. 具備�(qiáng)大的雪崩能力,可以承受瞬�(tài)高壓沖擊�
1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) 和適配器�
2. 直流-直流�(zhuǎn)換器和升�/降壓電路�
3. 電機(jī)控制與驅(qū)動,例如無刷直流電機(jī) (BLDC)�
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)模塊�
5. 太陽能逆變器和其他新能源相�(guān)�(shè)��
6. 汽車電子系統(tǒng),如電動助力�(zhuǎn)� (EPS) 和制動系�(tǒng)�
IRFZ44N, FDP18N10, AO3400A