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GA1210Y273MBCAR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/22 11:34:27 查看 閱讀�20

GA1210Y273MBCAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)動和直流-直流�(zhuǎn)換等�(yīng)�。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和良好的熱性能,適用于需要高效能和高可靠性的電子系統(tǒng)�
  該器件為 N 溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體�,其�(shè)�(jì)能夠承受較高的電壓和電流�(fù)載,同時(shí)保持較低的能量損�。此�,它還具備內(nèi)置保�(hù)功能,如過流保護(hù)和過溫關(guān)�,�(jìn)一步增�(qiáng)了其在復(fù)雜電路環(huán)境中的穩(wěn)定性�

參數(shù)

最大漏源電壓:120V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�10A
  �(dǎo)通電阻:27mΩ
  柵極電荷�35nC
  開關(guān)�(shí)間:開啟�(shí)� 15ns,關(guān)閉時(shí)� 18ns
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C

特�

1. 極低的導(dǎo)通電�,可有效降低傳導(dǎo)損�,提高整體效��
  2. 高速開�(guān)能力,支持高� PWM 控制,非常適合現(xiàn)代電源管理方��
  3. �(nèi)置過流和過溫保護(hù)�(jī)制,確保器件在極端條件下仍能安全�(yùn)��
  4. 采用緊湊型封裝,節(jié)� PCB 空間,便于小型化�(shè)�(jì)�
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足全球法規(guī)要求�
  6. 具備�(qiáng)大的雪崩能力,可以承受瞬�(tài)高壓沖擊�

�(yīng)�

1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) 和適配器�
  2. 直流-直流�(zhuǎn)換器和升�/降壓電路�
  3. 電機(jī)控制與驅(qū)動,例如無刷直流電機(jī) (BLDC)�
  4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)模塊�
  5. 太陽能逆變器和其他新能源相�(guān)�(shè)��
  6. 汽車電子系統(tǒng),如電動助力�(zhuǎn)� (EPS) 和制動系�(tǒng)�

替代型號

IRFZ44N, FDP18N10, AO3400A

ga1210y273mbcar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.027 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定200V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-