GA1210Y561JXEAT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器等電力電子設(shè)備中。該芯片采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和優(yōu)異的熱性能,能夠在高頻條件下實(shí)�(xiàn)高效能量�(zhuǎn)��
其封裝形式為TO-263(D2PAK�,能夠提供良好的散熱性能和電氣穩(wěn)定�,適合在高溫�(huán)境下�(zhǎng)期工��
型號(hào):GA1210Y561JXEAT31G
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
最大漏極電�(Id)�48A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�1.8mΩ (典型�,Vgs=10V)
功�(Ptot)�170W
�(jié)溫范�(Tj)�-55� � +175�
封裝形式:TO-263 (D2PAK)
GA1210Y561JXEAT31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電�,可以顯著降低傳�(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率�
2. 高速開(kāi)�(guān)性能,支持高�(dá)1MHz的工作頻率,滿足高頻�(yīng)用需��
3. 具備�(yōu)秀的熱�(wěn)定性和耐熱沖擊能力,適用于惡劣�(huán)境下的電力電子設(shè)��
4. �(nèi)置反向恢�(fù)二極�,優(yōu)化了反向電流處理能力,減少開(kāi)�(guān)噪聲�
5. 小巧的D2PAK封裝�(shè)�(jì),在保證散熱性能的同�(shí)節(jié)省PCB空間�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全可靠�
該芯片適用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主功率開(kāi)�(guān)��
2. 各類DC-DC�(zhuǎn)換器,例如降壓或升壓電路�
3. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換與控制�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)及保�(hù)電路�
5. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源發(fā)電系�(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換模��
6. 高效節(jié)能LED�(qū)�(dòng)電路的設(shè)�(jì)�
IRFZ44N
FDP5560
AON6710