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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1210Y561JXEAT31G

GA1210Y561JXEAT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/26 20:41:16 查看 閱讀�14

GA1210Y561JXEAT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器等電力電子設(shè)備中。該芯片采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和優(yōu)異的熱性能,能夠在高頻條件下實(shí)�(xiàn)高效能量�(zhuǎn)��
  其封裝形式為TO-263(D2PAK�,能夠提供良好的散熱性能和電氣穩(wěn)定�,適合在高溫�(huán)境下�(zhǎng)期工��

參數(shù)

型號(hào):GA1210Y561JXEAT31G
  類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  最大漏極電�(Id)�48A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�1.8mΩ (典型�,Vgs=10V)
  功�(Ptot)�170W
  �(jié)溫范�(Tj)�-55� � +175�
  封裝形式:TO-263 (D2PAK)

特�

GA1210Y561JXEAT31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,可以顯著降低傳�(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率�
  2. 高速開(kāi)�(guān)性能,支持高�(dá)1MHz的工作頻率,滿足高頻�(yīng)用需��
  3. 具備�(yōu)秀的熱�(wěn)定性和耐熱沖擊能力,適用于惡劣�(huán)境下的電力電子設(shè)��
  4. �(nèi)置反向恢�(fù)二極�,優(yōu)化了反向電流處理能力,減少開(kāi)�(guān)噪聲�
  5. 小巧的D2PAK封裝�(shè)�(jì),在保證散熱性能的同�(shí)節(jié)省PCB空間�
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全可靠�

�(yīng)�

該芯片適用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主功率開(kāi)�(guān)��
  2. 各類DC-DC�(zhuǎn)換器,例如降壓或升壓電路�
  3. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換與控制�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)及保�(hù)電路�
  5. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源發(fā)電系�(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換模��
  6. 高效節(jié)能LED�(qū)�(dòng)電路的設(shè)�(jì)�

替代型號(hào)

IRFZ44N
  FDP5560
  AON6710

ga1210y561jxeat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容560 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定500V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-