GA1210Y563KBXAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,采用先進的制造工藝設計。該器件具有低導通電阻、快速開關速度和高效率等特性,適用于多種電源管理和功率轉換應用。其封裝形式為行業(yè)標準,便于集成到各種電路設計中。
該芯片通常用于需要高效率和低損耗的場景,例如 DC-DC 轉換器、開關電源、電機驅動以及負載開關等應用。此外,其優(yōu)異的熱性能和可靠性使得它在嚴苛的工作環(huán)境下依然表現(xiàn)出色。
型號:GA1210Y563KBXAR31G
類型:功率 MOSFET
最大漏源電壓(V_DS):60V
最大柵源電壓(V_GS):±20V
連續(xù)漏極電流(I_D):30A
導通電阻(R_DS(on)):4mΩ(典型值,在 V_GS=10V 時)
總功耗(P_TOT):30W
結溫范圍(T_j):-55°C 至 +175°C
封裝形式:TO-263 (D2PAK)
GA1210Y563KBXAR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導通電阻,有效降低導通損耗并提高系統(tǒng)效率。
2. 快速開關能力,支持高頻工作條件,減少開關損耗。
3. 高電流承載能力,能夠滿足大功率應用場景的需求。
4. 穩(wěn)定的電氣性能,確保在寬溫度范圍內保持一致的表現(xiàn)。
5. 強大的抗靜電能力(ESD),提高了器件的可靠性和耐用性。
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且適合現(xiàn)代工業(yè)要求。
該芯片廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS) 中的同步整流和主開關。
2. DC-DC 轉換器中的功率開關元件。
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS) 中的保護和負載切換功能。
4. 工業(yè)設備中的電機驅動和控制電路。
5. 消費類電子產品的電源管理模塊。
6. 汽車電子中的負載開關和保護電路。
GA1210Y563KBXAR31J, IRF540N, FDP5580