GA1210Y563KXXAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和DC-DC�(zhuǎn)換等�(yīng)用領(lǐng)�。該器件采用了先�(jìn)的溝槽式MOSFET技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)效率并降低功�。此�,該芯片還具備優(yōu)異的熱性能和可靠�,適用于各種�(yán)苛的工作�(huán)��
類型:N通道增強(qiáng)型MOSFET
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值,Vgs=10V�
擊穿電壓(BVDSS):120V
最大漏極電流(Id):80A
柵極電荷(Qg):95nC
輸入電容(Ciss):4200pF
工作溫度范圍�-55℃至+175�
封裝形式:TO-247
GA1210Y563KXXAR31G采用先�(jìn)的制程工藝制�,具備以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),可有效降低導(dǎo)通損�,提升整體效率�
2. 高速開�(guān)性能,柵極電荷較�,適合高頻應(yīng)用�
3. 出色的熱�(wěn)定�,能夠在高溫�(huán)境下�(zhǎng)�(shí)間可靠運(yùn)��
4. 良好的雪崩能力和抗靜電能�,增�(qiáng)了器件的魯棒��
5. 大電流承載能�,適合高功率密度�(shè)�(jì)�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�
這款MOSFET芯片廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)��
2. 工業(yè)�(jí)電機(jī)�(qū)�(dòng)器中的功率級(jí)控制�
3. 電動(dòng)汽車及混合動(dòng)力汽車中的DC-DC�(zhuǎn)換器�
4. 太陽能逆變器和�(chǔ)能系�(tǒng)的功率管理模��
5. LED�(qū)�(dòng)電路以及各類大功率電子設(shè)��
IRFP2907ZPBF, FDP18N12A, STW82N120K5