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GA1210Y563KXXAR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/26 20:43:38 查看 閱讀�16

GA1210Y563KXXAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和DC-DC�(zhuǎn)換等�(yīng)用領(lǐng)�。該器件采用了先�(jìn)的溝槽式MOSFET技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)效率并降低功�。此�,該芯片還具備優(yōu)異的熱性能和可靠�,適用于各種�(yán)苛的工作�(huán)��

參數(shù)

類型:N通道增強(qiáng)型MOSFET
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值,Vgs=10V�
  擊穿電壓(BVDSS):120V
  最大漏極電流(Id):80A
  柵極電荷(Qg):95nC
  輸入電容(Ciss):4200pF
  工作溫度范圍�-55℃至+175�
  封裝形式:TO-247

特�

GA1210Y563KXXAR31G采用先�(jìn)的制程工藝制�,具備以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),可有效降低導(dǎo)通損�,提升整體效率�
  2. 高速開�(guān)性能,柵極電荷較�,適合高頻應(yīng)用�
  3. 出色的熱�(wěn)定�,能夠在高溫�(huán)境下�(zhǎng)�(shí)間可靠運(yùn)��
  4. 良好的雪崩能力和抗靜電能�,增�(qiáng)了器件的魯棒��
  5. 大電流承載能�,適合高功率密度�(shè)�(jì)�
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�

�(yīng)�

這款MOSFET芯片廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)��
  2. 工業(yè)�(jí)電機(jī)�(qū)�(dòng)器中的功率級(jí)控制�
  3. 電動(dòng)汽車及混合動(dòng)力汽車中的DC-DC�(zhuǎn)換器�
  4. 太陽能逆變器和�(chǔ)能系�(tǒng)的功率管理模��
  5. LED�(qū)�(dòng)電路以及各類大功率電子設(shè)��

替代型號(hào)

IRFP2907ZPBF, FDP18N12A, STW82N120K5

ga1210y563kxxar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.056 μF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定25V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-