類型：N通道增強(qiáng)型MOSFET
　　導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　擊穿電壓（BVDSS）：120V
　　最大漏極電流（Id）：80A
　　柵極電荷（Qg）：95nC
　　輸入電容（Ciss）：4200pF
　　工作溫度范圍：-55℃至+175℃
　　封裝形式：TO-247

GA1210Y563KXXAR31G采用先進(jìn)的制程工藝制造，具備以下主要特性：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），可有效降低導(dǎo)通損耗，提升整體效率。
　　2. 高速開關(guān)性能，柵極電荷較低，適合高頻應(yīng)用。
　　3. 出色的熱穩(wěn)定性，能夠在高溫環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間可靠運(yùn)行。
　　4. 良好的雪崩能力和抗靜電能力，增強(qiáng)了器件的魯棒性。
　　5. 大電流承載能力，適合高功率密度設(shè)計(jì)。
　　6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且滿足國(guó)際法規(guī)要求。

這款MOSFET芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開關(guān)電源（SMPS）中的主開關(guān)管。
　　2. 工業(yè)級(jí)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的功率級(jí)控制。
　　3. 電動(dòng)汽車及混合動(dòng)力汽車中的DC-DC轉(zhuǎn)換器。
　　4. 太陽能逆變器和儲(chǔ)能系統(tǒng)的功率管理模塊。
　　5. LED驅(qū)動(dòng)電路以及各類大功率電子設(shè)備。

IRFP2907ZPBF, FDP18N12A, STW82N120K5