GA1210Y564KXXAT31G 是一款高性能� MOSFET 功率晶體�,適用于開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,在低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度之間�(shí)�(xiàn)了良好的平衡,從而有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
這款 MOSFET 的封裝形式為 TO-263(DPAK�,具有出色的散熱性能,使其能夠承受較大的電流�(fù)載,并在高溫�(huán)境下保持�(wěn)定工��
型號:GA1210Y564KXXAT31G
類型:N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Vds(漏源電壓)�120V
Rds(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�56mΩ
Id(連續(xù)漏極電流):31A
Vgs(th)(柵極開啟電壓)�2.5V
Qg(總柵極電荷):7nC
EAS(雪崩能量)�8.5J
封裝:TO-263(DPAK�
GA1210Y564KXXAT31G 具有以下顯著特點(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可顯著減少�(dǎo)通損�,提高整體效��
2. 快速開�(guān)性能,有助于降低開關(guān)損�,適合高頻應(yīng)用�
3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件在異常條件下的耐用性和可靠��
4. 較低的柵極電荷(Qg),減少了驅(qū)動功�,提升了系統(tǒng)的動�(tài)性能�
5. TO-263 封裝提供了優(yōu)良的熱性能,支持更高的功率密度和穩(wěn)定性�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代電子產(chǎn)品的�(shè)�(jì)需��
該器件廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開關(guān)或同步整流元��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中用于高效的功率傳輸�
3. 電機(jī)�(qū)動電�,提供穩(wěn)定的電流輸出以控制電�(jī)�(yùn)��
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率管理模��
5. 通信電源和其他需要高效率和可靠性的�(yīng)用場��
GA1210Y564KXXBT31G, IRFZ44N, FDP5500