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GA1210Y564KXXAT31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/27 8:47:16 查看 閱讀�13

GA1210Y564KXXAT31G 是一款高性能� MOSFET 功率晶體�,適用于開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,在低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度之間�(shí)�(xiàn)了良好的平衡,從而有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
  這款 MOSFET 的封裝形式為 TO-263(DPAK�,具有出色的散熱性能,使其能夠承受較大的電流�(fù)載,并在高溫�(huán)境下保持�(wěn)定工��

參數(shù)

型號:GA1210Y564KXXAT31G
  類型:N-Channel Enhancement Mode MOSFET
  Vds(漏源電壓)�120V
  Rds(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�56mΩ
  Id(連續(xù)漏極電流):31A
  Vgs(th)(柵極開啟電壓)�2.5V
  Qg(總柵極電荷):7nC
  EAS(雪崩能量)�8.5J
  封裝:TO-263(DPAK�

特�

GA1210Y564KXXAT31G 具有以下顯著特點(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可顯著減少�(dǎo)通損�,提高整體效��
  2. 快速開�(guān)性能,有助于降低開關(guān)損�,適合高頻應(yīng)用�
  3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件在異常條件下的耐用性和可靠��
  4. 較低的柵極電荷(Qg),減少了驅(qū)動功�,提升了系統(tǒng)的動�(tài)性能�
  5. TO-263 封裝提供了優(yōu)良的熱性能,支持更高的功率密度和穩(wěn)定性�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代電子產(chǎn)品的�(shè)�(jì)需��

�(yīng)�

該器件廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開關(guān)或同步整流元��
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中用于高效的功率傳輸�
  3. 電機(jī)�(qū)動電�,提供穩(wěn)定的電流輸出以控制電�(jī)�(yùn)��
  4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率管理模��
  5. 通信電源和其他需要高效率和可靠性的�(yīng)用場��

替代型號

GA1210Y564KXXBT31G, IRFZ44N, FDP5500

ga1210y564kxxat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.56 μF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定25V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-