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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1210Y682JBCAR31G

GA1210Y682JBCAR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/26 20:45:01 查看 閱讀�17

GA1210Y682JBCAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)�。該芯片采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,具有低導(dǎo)通電�、高效率和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠在高頻工作條件下保持穩(wěn)定性能�
  其封裝形式為行業(yè)�(biāo)�(zhǔn)的表面貼裝器件(SMD),適合自動(dòng)化生�(chǎn),同�(shí)具備良好的散熱性能,可滿足大功率應(yīng)用的需��

參數(shù)

型號(hào):GA1210Y682JBCAR31G
  類型:N-Channel MOSFET
  VDS(漏源電壓)�120V
  RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�6.5mΩ
  ID(連續(xù)漏極電流):100A
  Qg(柵極電荷)�40nC
  fT(截止頻率)�3.2MHz
  封裝:TO-263-3L

特�

GA1210Y682JBCAR31G 的主要特性包括:
  1. 低導(dǎo)通電� (RDS(on)),可顯著降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 快速開(kāi)�(guān)速度,支持高頻操�,從而減小磁性元件體積并提升功率密度�
  3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了在異常條件下的魯棒性�
  4. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代電子設(shè)備要��
  5. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,提升了芯片在實(shí)際使用中的可靠��
  6. 適用于高電流和高電壓�(yīng)用場(chǎng)�,提供出色的熱管理和電氣性能�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�
  4. 太陽(yáng)能逆變�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)�
  6. 電動(dòng)工具及家電產(chǎn)�
  7. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載開(kāi)�(guān)和電源管理模�

替代型號(hào)

GA1210Y682JBCAR31G-TR, IRFZ44N, FDP55N10

ga1210y682jbcar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容6800 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定200V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-