GA1210Y682JBCAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)�。該芯片采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,具有低導(dǎo)通電�、高效率和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠在高頻工作條件下保持穩(wěn)定性能�
其封裝形式為行業(yè)�(biāo)�(zhǔn)的表面貼裝器件(SMD),適合自動(dòng)化生�(chǎn),同�(shí)具備良好的散熱性能,可滿足大功率應(yīng)用的需��
型號(hào):GA1210Y682JBCAR31G
類型:N-Channel MOSFET
VDS(漏源電壓)�120V
RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�6.5mΩ
ID(連續(xù)漏極電流):100A
Qg(柵極電荷)�40nC
fT(截止頻率)�3.2MHz
封裝:TO-263-3L
GA1210Y682JBCAR31G 的主要特性包括:
1. 低導(dǎo)通電� (RDS(on)),可顯著降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)速度,支持高頻操�,從而減小磁性元件體積并提升功率密度�
3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了在異常條件下的魯棒性�
4. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代電子設(shè)備要��
5. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,提升了芯片在實(shí)際使用中的可靠��
6. 適用于高電流和高電壓�(yīng)用場(chǎng)�,提供出色的熱管理和電氣性能�
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�
4. 太陽(yáng)能逆變�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)�
6. 電動(dòng)工具及家電產(chǎn)�
7. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載開(kāi)�(guān)和電源管理模�
GA1210Y682JBCAR31G-TR, IRFZ44N, FDP55N10