GA1210Y683JBXAT31G 是一款高性能的功率MOSFET器件,專為高頻開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝,具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的電流承載能力,適合于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景中的高效能量轉(zhuǎn)換。
型號(hào):GA1210Y683JBXAT31G
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
封裝:TO-247
最大漏源電壓(Vds):1200V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
最大連續(xù)漏極電流(Id):20A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):150mΩ(在Vgs=10V時(shí))
總功耗(Ptot):250W
工作溫度范圍(Ta):-55°C至+175°C
熱阻(結(jié)到殼):0.6°C/W
GA1210Y683JBXAT31G 具有以下顯著特點(diǎn):
1. 極低的導(dǎo)通電阻,在高負(fù)載條件下可有效減少功率損耗。
2. 快速開關(guān)性能,適合高頻應(yīng)用環(huán)境,有助于提高整體系統(tǒng)效率。
3. 高耐壓能力,能夠承受高達(dá)1200V的漏源電壓,適用于高壓工業(yè)場(chǎng)景。
4. 內(nèi)置反向恢復(fù)二極管,進(jìn)一步優(yōu)化了開關(guān)性能并降低了電磁干擾(EMI)。
5. 良好的熱穩(wěn)定性,能夠在極端溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定運(yùn)行,確保長(zhǎng)時(shí)間工作的可靠性。
6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且易于集成到各種現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中。
這款功率MOSFET適用于多種電力電子應(yīng)用場(chǎng)景,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS),用于高效的電能轉(zhuǎn)換與管理。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器,特別是在需要高效率和小尺寸解決方案的場(chǎng)合。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,如步進(jìn)電機(jī)或無刷直流電機(jī)的控制。
4. 太陽能逆變器和儲(chǔ)能系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)模塊。
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電源管理和負(fù)載切換功能。
6. 電動(dòng)汽車(EV)和混合動(dòng)力汽車(HEV)的車載充電器及電池管理系統(tǒng)(BMS)。
IRFP260N
STW12NM120H
FDP16N120C
CSD19536KCS