GA1210Y684JBJAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動和逆變器等�(lǐng)域。該器件采用了先進的半導(dǎo)體制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�,能夠顯著提升電路效率并降低功��
該型號屬于溝道增強型MOSFET,支持高頻開�(guān)操作,并且具有良好的熱穩(wěn)定性和可靠性,適用于多種工�(yè)和消費類電子�(shè)��
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
持續(xù)漏極電流�50A
�(dǎo)通電阻(典型值)�1.5mΩ
總功耗:100W
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-247
GA1210Y684JBJAR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有效減少傳�(dǎo)損耗�
2. 高速開�(guān)能力,柵極電荷較低,確保高效的開�(guān)性能�
3. 良好的熱�(wěn)定性,能夠在極端溫度條件下可靠運行�
4. �(nèi)置ESD保護功能,提高了器件的抗靜電能力�
5. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛設(shè)��
6. 支持大電流應(yīng)�,適合需要高功率輸出的場��
該型號廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換�
2. 電機�(qū)動和控制電路�
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)模塊�
6. 汽車電子中的負載切換和保護電��
GA1210Y684JBJAR32G
IRFZ44N
FDP5500
STP55NF06L