時(shí)間：2025/5/30 13:59:15
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GA1210Y684KBXAT31G 是一款高性能的存儲(chǔ)芯片，屬于 NAND Flash 類型。該芯片廣泛應(yīng)用于需要大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的場景，例如固態(tài)硬盤（SSD）、USB 閃存盤和嵌入式系統(tǒng)等。其采用先進(jìn)的制程工藝制造，具備高可靠性和快速讀寫性能。
該型號支持多種接口協(xié)議，并通過優(yōu)化設(shè)計(jì)降低功耗，在便攜式設(shè)備和數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢。
類型：NAND Flash
容量：128GB
接口：Toggle DDR 3.0
工作電壓：1.8V
封裝形式：BGA
引腳數(shù)：169
數(shù)據(jù)傳輸速率：最高可達(dá) 533 MT/s
擦寫壽命：3000 次（典型值）
工作溫度范圍：-40°C 至 +85°C
GA1210Y684KBXAT31G 提供卓越的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案，主要特點(diǎn)包括：
1. 高密度存儲(chǔ)能力，單顆芯片即可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 128GB 的容量。
2. 支持 Toggle DDR 3.0 接口協(xié)議，能夠提供更快的數(shù)據(jù)傳輸速度。
3. 先進(jìn)的 ECC 糾錯(cuò)機(jī)制確保數(shù)據(jù)完整性，減少因存儲(chǔ)介質(zhì)老化引起的錯(cuò)誤。
4. 超低功耗設(shè)計(jì)，適合對電池續(xù)航有嚴(yán)格要求的移動(dòng)設(shè)備。
5. 廣泛的工作溫度范圍使其適應(yīng)各種惡劣環(huán)境下的應(yīng)用需求。
6. 高可靠性，經(jīng)過嚴(yán)格測試以滿足工業(yè)級標(biāo)準(zhǔn)。
這款芯片適用于以下場景：
1. 固態(tài)硬盤（SSD），作為主存儲(chǔ)單元提升整體性能。
2. USB 閃存盤及存儲(chǔ)卡，為消費(fèi)者提供大容量便捷存儲(chǔ)方案。
3. 嵌入式系統(tǒng)，如汽車電子、工業(yè)控制和網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備中的本地?cái)?shù)據(jù)存儲(chǔ)。
4. 數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器領(lǐng)域，用作緩存或冷數(shù)據(jù)存儲(chǔ)媒介。
5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品，例如平板電腦、智能手機(jī)和其他便攜式設(shè)備。
GA1210Y684KAXAT31G
GA1210Y684KBXBT31G
GA1210Y684KCXAT31G
