GA1210Y684KBXAT31G 是一款高性能的存儲(chǔ)芯片,屬于 NAND Flash 類型。該芯片廣泛應(yīng)用于需要大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的場景,例如固態(tài)硬盤(SSD)、USB 閃存盤和嵌入式系統(tǒng)等。其采用先進(jìn)的制程工藝制造,具備高可靠性和快速讀寫性能。
該型號支持多種接口協(xié)議,并通過優(yōu)化設(shè)計(jì)降低功耗,在便攜式設(shè)備和數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢。
類型:NAND Flash
容量:128GB
接口:Toggle DDR 3.0
工作電壓:1.8V
封裝形式:BGA
引腳數(shù):169
數(shù)據(jù)傳輸速率:最高可達(dá) 533 MT/s
擦寫壽命:3000 次(典型值)
工作溫度范圍:-40°C 至 +85°C
GA1210Y684KBXAT31G 提供卓越的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案,主要特點(diǎn)包括:
1. 高密度存儲(chǔ)能力,單顆芯片即可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 128GB 的容量。
2. 支持 Toggle DDR 3.0 接口協(xié)議,能夠提供更快的數(shù)據(jù)傳輸速度。
3. 先進(jìn)的 ECC 糾錯(cuò)機(jī)制確保數(shù)據(jù)完整性,減少因存儲(chǔ)介質(zhì)老化引起的錯(cuò)誤。
4. 超低功耗設(shè)計(jì),適合對電池續(xù)航有嚴(yán)格要求的移動(dòng)設(shè)備。
5. 廣泛的工作溫度范圍使其適應(yīng)各種惡劣環(huán)境下的應(yīng)用需求。
6. 高可靠性,經(jīng)過嚴(yán)格測試以滿足工業(yè)級標(biāo)準(zhǔn)。
這款芯片適用于以下場景:
1. 固態(tài)硬盤(SSD),作為主存儲(chǔ)單元提升整體性能。
2. USB 閃存盤及存儲(chǔ)卡,為消費(fèi)者提供大容量便捷存儲(chǔ)方案。
3. 嵌入式系統(tǒng),如汽車電子、工業(yè)控制和網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備中的本地?cái)?shù)據(jù)存儲(chǔ)。
4. 數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器領(lǐng)域,用作緩存或冷數(shù)據(jù)存儲(chǔ)媒介。
5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品,例如平板電腦、智能手機(jī)和其他便攜式設(shè)備。
GA1210Y684KAXAT31G
GA1210Y684KBXBT31G
GA1210Y684KCXAT31G