GA1210Y684KBXAT31G 是一款高性能的存�(chǔ)芯片,屬� NAND Flash 類型。該芯片廣泛�(yīng)用于需要大容量�(shù)�(jù)存儲(chǔ)的場景,例如固態(tài)硬盤(SSD�、USB 閃存盤和嵌入式系�(tǒng)等。其采用先�(jìn)的制程工藝制�,具備高可靠性和快速讀寫性能�
該型號支持多種接口協(xié)�,并通過�(yōu)化設(shè)�(jì)降低功�,在便攜式設(shè)備和�(shù)�(jù)中心�(lǐng)域具有顯著優(yōu)勀�
類型:NAND Flash
容量�128GB
接口:Toggle DDR 3.0
工作電壓�1.8V
封裝形式:BGA
引腳�(shù)�169
�(shù)�(jù)傳輸速率:最高可�(dá) 533 MT/s
擦寫壽命�3000 次(典型值)
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
GA1210Y684KBXAT31G 提供卓越的數(shù)�(jù)存儲(chǔ)解決方案,主要特�(diǎn)包括�
1. 高密度存�(chǔ)能力,單顆芯片即可實(shí)�(xiàn)高達(dá) 128GB 的容��
2. 支持 Toggle DDR 3.0 接口�(xié)�,能夠提供更快的�(shù)�(jù)傳輸速度�
3. 先�(jìn)� ECC 糾錯(cuò)�(jī)制確保數(shù)�(jù)完整�,減少因存儲(chǔ)介質(zhì)老化引起的錯(cuò)��
4. 超低功耗設(shè)�(jì),適合對電池�(xù)航有�(yán)格要求的移動(dòng)�(shè)備�
5. 廣泛的工作溫度范圍使其適�(yīng)各種惡劣�(huán)境下的應(yīng)用需��
6. 高可靠�,經(jīng)過嚴(yán)格測試以滿足工業(yè)級標(biāo)�(zhǔn)�
這款芯片適用于以下場景:
1. 固態(tài)硬盤(SSD�,作為主存儲(chǔ)單元提升整體性能�
2. USB 閃存盤及存儲(chǔ)�,為消費(fèi)者提供大容量便捷存儲(chǔ)方案�
3. 嵌入式系�(tǒng),如汽車電子、工�(yè)控制和網(wǎng)�(luò)通信�(shè)備中的本�?cái)?shù)�(jù)存儲(chǔ)�
4. �(shù)�(jù)中心和服�(wù)器領(lǐng)域,用作緩存或冷�(shù)�(jù)存儲(chǔ)媒介�
5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)�,例如平板電腦、智能手�(jī)和其他便攜式�(shè)��
GA1210Y684KAXAT31G
GA1210Y684KBXBT31G
GA1210Y684KCXAT31G