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GA1210Y684KBXAT31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/30 13:59:15 查看 閱讀:14

GA1210Y684KBXAT31G 是一款高性能的存儲(chǔ)芯片,屬于 NAND Flash 類型。該芯片廣泛應(yīng)用于需要大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的場景,例如固態(tài)硬盤(SSD)、USB 閃存盤和嵌入式系統(tǒng)等。其采用先進(jìn)的制程工藝制造,具備高可靠性和快速讀寫性能。
  該型號支持多種接口協(xié)議,并通過優(yōu)化設(shè)計(jì)降低功耗,在便攜式設(shè)備和數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢。

參數(shù)

類型:NAND Flash
  容量:128GB
  接口:Toggle DDR 3.0
  工作電壓:1.8V
  封裝形式:BGA
  引腳數(shù):169
  數(shù)據(jù)傳輸速率:最高可達(dá) 533 MT/s
  擦寫壽命:3000 次(典型值)
  工作溫度范圍:-40°C 至 +85°C

特性

GA1210Y684KBXAT31G 提供卓越的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案,主要特點(diǎn)包括:
  1. 高密度存儲(chǔ)能力,單顆芯片即可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 128GB 的容量。
  2. 支持 Toggle DDR 3.0 接口協(xié)議,能夠提供更快的數(shù)據(jù)傳輸速度。
  3. 先進(jìn)的 ECC 糾錯(cuò)機(jī)制確保數(shù)據(jù)完整性,減少因存儲(chǔ)介質(zhì)老化引起的錯(cuò)誤。
  4. 超低功耗設(shè)計(jì),適合對電池續(xù)航有嚴(yán)格要求的移動(dòng)設(shè)備。
  5. 廣泛的工作溫度范圍使其適應(yīng)各種惡劣環(huán)境下的應(yīng)用需求。
  6. 高可靠性,經(jīng)過嚴(yán)格測試以滿足工業(yè)級標(biāo)準(zhǔn)。

應(yīng)用

這款芯片適用于以下場景:
  1. 固態(tài)硬盤(SSD),作為主存儲(chǔ)單元提升整體性能。
  2. USB 閃存盤及存儲(chǔ)卡,為消費(fèi)者提供大容量便捷存儲(chǔ)方案。
  3. 嵌入式系統(tǒng),如汽車電子、工業(yè)控制和網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備中的本地?cái)?shù)據(jù)存儲(chǔ)。
  4. 數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器領(lǐng)域,用作緩存或冷數(shù)據(jù)存儲(chǔ)媒介。
  5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品,例如平板電腦、智能手機(jī)和其他便攜式設(shè)備。

替代型號

GA1210Y684KAXAT31G
  GA1210Y684KBXBT31G
  GA1210Y684KCXAT31G

ga1210y684kbxat31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容0.68 μF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定25V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長 x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-