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GA1210Y823KBBAT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/3 22:45:34 查看 閱讀�9

GA1210Y823KBBAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動等�(yīng)用領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,在提供高電流處理能力的同�(shí),具備較低的�(dǎo)通電阻和�(yōu)秀的開�(guān)性能,有助于提高整體系統(tǒng)的效率并減少熱損��
  這款功率 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器件,其設(shè)�(jì)旨在滿足高效率和高可靠性的需�,特別適用于需要快速開�(guān)和低功耗的�(yīng)用場景�

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電壓(Vds):120 V
  最大柵源電壓(Vgs):±20 V
  連續(xù)漏極電流(Id):10 A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):8.2 mΩ
  柵極電荷(Qg):35 nC
  開關(guān)�(shí)間:ton=9 ns, toff=12 ns
  工作�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C

特�

GA1210Y823KBBAT31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于降低�(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率�
  2. 高速開�(guān)性能,能�?qū)崿F(xiàn)高頻操作,適用于�(xiàn)代開�(guān)電源和轉(zhuǎn)換器�(shè)�(jì)�
  3. 具備�(qiáng)大的雪崩能力和抗靜電能力,增�(qiáng)了器件的可靠��
  4. 小型封裝�(shè)�(jì),節(jié)省PCB空間,便于高密度布局�
  5. 寬溫度范圍支�,確保在極端�(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)�(jì)�
  該器件綜合了高性能和高可靠性,是現(xiàn)代電力電子應(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

GA1210Y823KBBAT31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS),如 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 電機(jī)�(qū)動,包括步�(jìn)電機(jī)和無刷直流電�(jī)控制�
  3. 電池管理與保�(hù)電路�
  4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的電源模��
  5. LED 照明�(qū)動器�
  6. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載開�(guān)和電源管��
  由于其出色的性能和可靠�,該芯片成為許多高要求應(yīng)用的核心組件�

替代型號

GA1210Y823KBBAT31H, IRFZ44N, FDP55N10

ga1210y823kbbat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.082 μF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-