GA1210Y823KBBAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動等�(yīng)用領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,在提供高電流處理能力的同�(shí),具備較低的�(dǎo)通電阻和�(yōu)秀的開�(guān)性能,有助于提高整體系統(tǒng)的效率并減少熱損��
這款功率 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器件,其設(shè)�(jì)旨在滿足高效率和高可靠性的需�,特別適用于需要快速開�(guān)和低功耗的�(yīng)用場景�
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電壓(Vds):120 V
最大柵源電壓(Vgs):±20 V
連續(xù)漏極電流(Id):10 A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):8.2 mΩ
柵極電荷(Qg):35 nC
開關(guān)�(shí)間:ton=9 ns, toff=12 ns
工作�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
GA1210Y823KBBAT31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于降低�(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)性能,能�?qū)崿F(xiàn)高頻操作,適用于�(xiàn)代開�(guān)電源和轉(zhuǎn)換器�(shè)�(jì)�
3. 具備�(qiáng)大的雪崩能力和抗靜電能力,增�(qiáng)了器件的可靠��
4. 小型封裝�(shè)�(jì),節(jié)省PCB空間,便于高密度布局�
5. 寬溫度范圍支�,確保在極端�(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)�(jì)�
該器件綜合了高性能和高可靠性,是現(xiàn)代電力電子應(yīng)用的理想選擇�
GA1210Y823KBBAT31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS),如 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 電機(jī)�(qū)動,包括步�(jìn)電機(jī)和無刷直流電�(jī)控制�
3. 電池管理與保�(hù)電路�
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的電源模��
5. LED 照明�(qū)動器�
6. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載開�(guān)和電源管��
由于其出色的性能和可靠�,該芯片成為許多高要求應(yīng)用的核心組件�
GA1210Y823KBBAT31H, IRFZ44N, FDP55N10