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SI4931DY-T1-E3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/6/6 10:28:58 查看 閱讀：12

SI4931DY-T1-E3 是一款由 Skyworks Solutions 公司生產(chǎn)的射頻功率放大器模塊，主要應(yīng)用于無線通信領(lǐng)域。該器件采用了先進(jìn)的砷化鎵（GaAs）異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（HBT）技術(shù)，具有高效率、高線性度和寬帶寬的特點(diǎn)，適用于 GSM、EDGE 和 WCDMA 等多種通信標(biāo)準(zhǔn)。
　　該模塊集成了輸入/輸出匹配網(wǎng)絡(luò)以及偏置電路，從而簡(jiǎn)化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)并減少了外部元件的數(shù)量。此外，其封裝形式緊湊，非常適合對(duì)空間要求較高的便攜式設(shè)備。

參數(shù)

型號(hào)：SI4931DY-T1-E3
　　制造商：Skyworks Solutions
　　類型：射頻功率放大器
　　頻率范圍：824 MHz 至 960 MHz
　　增益：17.5 dB
　　輸出功率（Pout）：33 dBm
　　電源電壓（Vcc）：3.4 V
　　靜態(tài)電流：70 mA
　　效率：50%
　　封裝形式：MLP 4x4 封裝
　　工作溫度范圍：-40°C 至 +85°C

特性

SI4931DY-T1-E3 的主要特性包括：
　　1. 高輸出功率：在 33 dBm 輸出功率下仍能保持良好的性能。
　　2. 高效率：在典型工作條件下可達(dá)到約 50% 的效率，有助于延長(zhǎng)電池壽命。
　　3. 集成度高：內(nèi)置匹配網(wǎng)絡(luò)和偏置電路，減少了外圍元件的需求，節(jié)省 PCB 空間。
　　4. 寬帶寬支持：覆蓋從 824 MHz 到 960 MHz 的頻段，適用于全球多個(gè)通信標(biāo)準(zhǔn)。
　　5. 低噪聲系數(shù)：提供更清晰的信號(hào)傳輸效果。
　　6. 緊湊型封裝：MLP 4x4 封裝適合現(xiàn)代小型化設(shè)備的設(shè)計(jì)需求。

應(yīng)用

SI4931DY-T1-E3 廣泛用于以下應(yīng)用領(lǐng)域：
　　1. GSM 和 EDGE 移動(dòng)通信終端。
　　2. WCDMA 和 LTE 設(shè)備. 便攜式無線通信設(shè)備，如智能手機(jī)、平板電腦和其他手持終端。
　　4. 數(shù)據(jù)卡和 MiFi 路由器等移動(dòng)寬帶產(chǎn)品。
　　5. 物聯(lián)網(wǎng)（IoT）設(shè)備中的射頻前端模塊。
　　由于其出色的性能和可靠性，該芯片成為許多通信設(shè)備制造商的理想選擇。

替代型號(hào)

SI4932DY-T1-E3
　　SI4933DY-T1-E3

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si4931dy-t1-e3參數(shù)

  • 數(shù)據(jù)列表SI4931DY
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型2 個(gè) P 溝道（雙）
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)12V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C6.7A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C18 毫歐 @ 8.9A，4.5V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）1V @ 350µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs52nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大1.1W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI4931DY-T1-E3TR