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GA1812A121JBGAT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/13 15:41:42 查看 閱讀�18

GA1812A121JBGAT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),能夠顯著降低系�(tǒng)能耗并提升整體性能�
  該芯片通過�(yōu)化柵極電荷設(shè)�(jì),提供了更快的開�(guān)速度以及更低的開�(guān)損�,非常適合高頻應(yīng)用環(huán)�。此�,其封裝形式�(jīng)過特殊設(shè)�(jì),可有效提高散熱性能,確保在高功率負(fù)載下�(wěn)定運(yùn)行�

參數(shù)

型號(hào):GA1812A121JBGAT31G
  類型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�30A
  2.5mΩ
  總柵極電�(Qg)�45nC
  輸入電容(Ciss)�1200pF
  輸出電容(Coss)�180pF
  反向傳輸電容(Crss)�25pF
  工作溫度范圍�-55� to +175�

特�

1. 低導(dǎo)通電�(Rds(on)),僅�2.5mΩ,能夠大幅降低傳�(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)特性,總柵極電�(Qg)�45nC,支持高頻應(yīng)��
  3. 高額定電�(30A),適合大功率場景下的使用�
  4. 寬工作溫度范�(-55℃至+175�),適�(yīng)極端�(huán)境條��
  5. 封裝形式�(jīng)過優(yōu)�,具備良好的熱性能表現(xiàn)�
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)�,滿足國際法�(guī)要求�

�(yīng)�

1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率�(zhuǎn)��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器的設(shè)�(jì)與實(shí)�(xiàn)�
  3. 電動(dòng)工具及家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)控制�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模塊�
  5. 新能源汽車電子系�(tǒng)的功率控制部��
  6. 充電器和其他便攜式電子產(chǎn)品的高效功率處理方案�

替代型號(hào)

IRF3205
  STP36NF06
  FDP5510
  AON6112

ga1812a121jbgat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容120 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定1000V�1kV�
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1812�4532 公制�
  • 大小 / 尺寸0.177" � x 0.126" 寬(4.50mm x 3.20mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"�2.18mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-