GA1812A121JBGAT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),能夠顯著降低系�(tǒng)能耗并提升整體性能�
該芯片通過�(yōu)化柵極電荷設(shè)�(jì),提供了更快的開�(guān)速度以及更低的開�(guān)損�,非常適合高頻應(yīng)用環(huán)�。此�,其封裝形式�(jīng)過特殊設(shè)�(jì),可有效提高散熱性能,確保在高功率負(fù)載下�(wěn)定運(yùn)行�
型號(hào):GA1812A121JBGAT31G
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�30A
2.5mΩ
總柵極電�(Qg)�45nC
輸入電容(Ciss)�1200pF
輸出電容(Coss)�180pF
反向傳輸電容(Crss)�25pF
工作溫度范圍�-55� to +175�
1. 低導(dǎo)通電�(Rds(on)),僅�2.5mΩ,能夠大幅降低傳�(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)特性,總柵極電�(Qg)�45nC,支持高頻應(yīng)��
3. 高額定電�(30A),適合大功率場景下的使用�
4. 寬工作溫度范�(-55℃至+175�),適�(yīng)極端�(huán)境條��
5. 封裝形式�(jīng)過優(yōu)�,具備良好的熱性能表現(xiàn)�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)�,滿足國際法�(guī)要求�
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率�(zhuǎn)��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器的設(shè)�(jì)與實(shí)�(xiàn)�
3. 電動(dòng)工具及家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)控制�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模塊�
5. 新能源汽車電子系�(tǒng)的功率控制部��
6. 充電器和其他便攜式電子產(chǎn)品的高效功率處理方案�
IRF3205
STP36NF06
FDP5510
AON6112