GA1812A221FXBAR31G 是一款高性能的功率MOSFET器件,采用先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制�。該芯片廣泛�(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高效能功率�(kāi)�(guān)的應(yīng)用場(chǎng)景中�
其主要特�(diǎn)是具備低�(dǎo)通電阻、高�(kāi)�(guān)速度以及出色的熱性能,適合在高電流和高頻條件下工�。同�(shí),該型號(hào)采用了優(yōu)化的封裝�(shè)�(jì),有助于提升系統(tǒng)的整體效率和可靠性�
型號(hào):GA1812A221FXBAR31G
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
持續(xù)漏極電流(Id)�40A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�4.5mΩ (典型�,在Vgs=10V�(shí))
總功�(Ptot)�200W
�(jié)溫范�(Tj)�-55℃至+175�
封裝形式:TO-247
GA1812A221FXBAR31G 提供了卓越的電氣性能和可靠�,以下是其主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,減少了�(dǎo)通損�,提升了系統(tǒng)效率�
2. 高速開(kāi)�(guān)能力,支持高頻應(yīng)用場(chǎng)合,降低�(kāi)�(guān)損��
3. �(qiáng)化的散熱�(shè)�(jì),能夠承受更高的功率密度�
4. 具備�(yōu)秀的抗浪涌能力和ESD保護(hù)功能,增�(qiáng)了器件的魯棒性�
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�
6. �(wěn)定的電氣參數(shù)和溫度特性,確保在各種工況下的可靠運(yùn)��
該芯片適用于多種工業(yè)和消�(fèi)電子�(lǐng)域,包括但不限于以下�(yīng)用:
1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS),例如適配器、充電器��
2. 各類DC-DC�(zhuǎn)換器,用于電壓調(diào)節(jié)和負(fù)載管��
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,如步�(jìn)電機(jī)、無(wú)刷直流電�(jī)控制�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率開(kāi)�(guān)�
5. 新能源領(lǐng)域,如太�(yáng)能逆變�、儲(chǔ)能系�(tǒng)��
6. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換和保護(hù)電路�
GA1812A222FXBAR31G, IRFZ44N, FDP55N06L