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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1812A221FXBAR31G

GA1812A221FXBAR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/28 9:17:09 查看 閱讀�18

GA1812A221FXBAR31G 是一款高性能的功率MOSFET器件,采用先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制�。該芯片廣泛�(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高效能功率�(kāi)�(guān)的應(yīng)用場(chǎng)景中�
  其主要特�(diǎn)是具備低�(dǎo)通電阻、高�(kāi)�(guān)速度以及出色的熱性能,適合在高電流和高頻條件下工�。同�(shí),該型號(hào)采用了優(yōu)化的封裝�(shè)�(jì),有助于提升系統(tǒng)的整體效率和可靠性�

參數(shù)

型號(hào):GA1812A221FXBAR31G
  類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  持續(xù)漏極電流(Id)�40A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�4.5mΩ (典型�,在Vgs=10V�(shí))
  總功�(Ptot)�200W
  �(jié)溫范�(Tj)�-55℃至+175�
  封裝形式:TO-247

特�

GA1812A221FXBAR31G 提供了卓越的電氣性能和可靠�,以下是其主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,減少了�(dǎo)通損�,提升了系統(tǒng)效率�
  2. 高速開(kāi)�(guān)能力,支持高頻應(yīng)用場(chǎng)合,降低�(kāi)�(guān)損��
  3. �(qiáng)化的散熱�(shè)�(jì),能夠承受更高的功率密度�
  4. 具備�(yōu)秀的抗浪涌能力和ESD保護(hù)功能,增�(qiáng)了器件的魯棒性�
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�
  6. �(wěn)定的電氣參數(shù)和溫度特性,確保在各種工況下的可靠運(yùn)��

�(yīng)�

該芯片適用于多種工業(yè)和消�(fèi)電子�(lǐng)域,包括但不限于以下�(yīng)用:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS),例如適配器、充電器��
  2. 各類DC-DC�(zhuǎn)換器,用于電壓調(diào)節(jié)和負(fù)載管��
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,如步�(jìn)電機(jī)、無(wú)刷直流電�(jī)控制�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率開(kāi)�(guān)�
  5. 新能源領(lǐng)域,如太�(yáng)能逆變�、儲(chǔ)能系�(tǒng)��
  6. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換和保護(hù)電路�

替代型號(hào)

GA1812A222FXBAR31G, IRFZ44N, FDP55N06L

ga1812a221fxbar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容220 pF
  • 容差±1%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1812�4532 公制�
  • 大小 / 尺寸0.177" �(zhǎng) x 0.126" 寬(4.50mm x 3.20mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"�2.18mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-