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GA1812A390FBAAT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/20 20:20:17 查看 閱讀�19

GA1812A390FBAAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,屬� GaN(氮化鎵)基半導(dǎo)體器件系�。該芯片利用了先�(jìn)的氮化鎵技�(shù),提供卓越的開關(guān)速度和低�(dǎo)通電阻性能,適用于高頻、高效能電源�(zhuǎn)換應(yīng)用場��
  這款芯片的主要設(shè)�(jì)目的是替代傳�(tǒng)的硅� MOSFET,在更高的頻率下�(shí)�(xiàn)更低的損�,同�(shí)保持較小的封裝尺寸以適應(yīng)�(xiàn)代電子設(shè)備的小型化需��

參數(shù)

類型:增�(qiáng)型功� MOSFET
  材料:氮化鎵 (GaN)
  最大漏源電壓:650V
  最大連續(xù)漏極電流�15A
  �(dǎo)通電阻:40mΩ
  柵極電荷�70nC
  反向恢復(fù)�(shí)間:無(由于� GaN 技�(shù)�
  工作溫度范圍�-55� � +150�
  封裝形式:TO-247-3

特�

GA1812A390FBAAT31G 的主要特性包括:
  1. 高效率:得益� GaN 技�(shù),該芯片能夠顯著降低開關(guān)損耗和�(dǎo)通損�,從而提高系�(tǒng)整體效率�
  2. 高開�(guān)頻率:相比傳�(tǒng)硅基 MOSFET,此芯片支持高達(dá)�(shù) MHz 的開�(guān)頻率,非常適合高頻應(yīng)��
  3. 緊湊的設(shè)�(jì):其小型化的封裝有助于減小電路板占用空間,同�(shí)保持良好的散熱性能�
  4. 低柵極電荷:降低了驅(qū)�(dòng)功�,�(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)的總能耗�
  5. 快速開�(guān)能力:具備快速開啟和�(guān)閉特�,減少開�(guān)過渡期間的能量損��
  6. �(qiáng)大的耐壓能力�650V 的額定電壓使其適合于多種高壓�(yīng)用場景,如電�(dòng)車充電器、工�(yè)電源��

�(yīng)�

GA1812A390FBAAT31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS):用� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�,提升電源轉(zhuǎn)換效��
  2. 電動(dòng)汽車充電�(shè)備:為充電樁提供高效的功率轉(zhuǎn)換功��
  3. 太陽能逆變器:將太陽能電池板產(chǎn)生的直流電高效轉(zhuǎn)換為交流��
  4. �(shù)�(jù)中心電源:支持高密度、高效率的數(shù)�(jù)中心供電解決方案�
  5. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng):用于控制和�(diào)節(jié)工業(yè)電機(jī)的速度與扭��
  6. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:例如筆記本電腦適配器、家用電器中的高頻逆變器等�

替代型號

GA1812A390FBAAT32G, GA1812A390FBAAT33G

ga1812a390fbaat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容39 pF
  • 容差±1%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1812�4532 公制�
  • 大小 / 尺寸0.177" � x 0.126" 寬(4.50mm x 3.20mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"�2.18mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-