GA1812A390FBAAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,屬� GaN(氮化鎵)基半導(dǎo)體器件系�。該芯片利用了先�(jìn)的氮化鎵技�(shù),提供卓越的開關(guān)速度和低�(dǎo)通電阻性能,適用于高頻、高效能電源�(zhuǎn)換應(yīng)用場��
這款芯片的主要設(shè)�(jì)目的是替代傳�(tǒng)的硅� MOSFET,在更高的頻率下�(shí)�(xiàn)更低的損�,同�(shí)保持較小的封裝尺寸以適應(yīng)�(xiàn)代電子設(shè)備的小型化需��
類型:增�(qiáng)型功� MOSFET
材料:氮化鎵 (GaN)
最大漏源電壓:650V
最大連續(xù)漏極電流�15A
�(dǎo)通電阻:40mΩ
柵極電荷�70nC
反向恢復(fù)�(shí)間:無(由于� GaN 技�(shù)�
工作溫度范圍�-55� � +150�
封裝形式:TO-247-3
GA1812A390FBAAT31G 的主要特性包括:
1. 高效率:得益� GaN 技�(shù),該芯片能夠顯著降低開關(guān)損耗和�(dǎo)通損�,從而提高系�(tǒng)整體效率�
2. 高開�(guān)頻率:相比傳�(tǒng)硅基 MOSFET,此芯片支持高達(dá)�(shù) MHz 的開�(guān)頻率,非常適合高頻應(yīng)��
3. 緊湊的設(shè)�(jì):其小型化的封裝有助于減小電路板占用空間,同�(shí)保持良好的散熱性能�
4. 低柵極電荷:降低了驅(qū)�(dòng)功�,�(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)的總能耗�
5. 快速開�(guān)能力:具備快速開啟和�(guān)閉特�,減少開�(guān)過渡期間的能量損��
6. �(qiáng)大的耐壓能力�650V 的額定電壓使其適合于多種高壓�(yīng)用場景,如電�(dòng)車充電器、工�(yè)電源��
GA1812A390FBAAT31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS):用� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�,提升電源轉(zhuǎn)換效��
2. 電動(dòng)汽車充電�(shè)備:為充電樁提供高效的功率轉(zhuǎn)換功��
3. 太陽能逆變器:將太陽能電池板產(chǎn)生的直流電高效轉(zhuǎn)換為交流��
4. �(shù)�(jù)中心電源:支持高密度、高效率的數(shù)�(jù)中心供電解決方案�
5. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng):用于控制和�(diào)節(jié)工業(yè)電機(jī)的速度與扭��
6. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:例如筆記本電腦適配器、家用電器中的高頻逆變器等�
GA1812A390FBAAT32G, GA1812A390FBAAT33G