GA1812A560GBHAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)動和 DC-DC �(zhuǎn)換器等電力電子設(shè)備中。該芯片采用先�(jìn)的溝槽式 MOSFET 技�(shù)制�,具有低�(dǎo)通電阻、高效率和優(yōu)異的熱性能�
其封裝形式為 TO-247,適合高電流密度的應(yīng)用場景,并具備良好的散熱性能�
型號:GA1812A560GBHAT31G
類型:N-Channel Power MOSFET
Vds(漏源極電壓):600V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�0.056Ω
Id(持�(xù)漏極電流):12A
Qg(柵極電荷)�70nC
fmax(最大工作頻率)�100kHz
封裝:TO-247
GA1812A560GBHAT31G 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
1. 高耐壓能力,可承受高達(dá) 600V 的漏源極電壓,適用于高壓�(yīng)用環(huán)��
2. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),僅� 0.056Ω,能夠有效降低導(dǎo)通損耗,提高系統(tǒng)效率�
3. 快速開�(guān)速度,支持高�(dá) 100kHz 的工作頻�,滿足高頻應(yīng)用需��
4. 先�(jìn)的溝槽式 MOSFET �(jié)�(gòu)�(shè)�(jì),提升了電流處理能力和可靠��
5. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,增�(qiáng)了器件的抗靜電能��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)�(jì),適�(yīng)�(xiàn)代綠色電子產(chǎn)品的需��
GA1812A560GBHAT31G 廣泛�(yīng)用于多種電力電子�(lǐng)�,包括但不限于以下方面:
1. 開關(guān)電源(SMPS�,如適配�、充電器��
2. 電機(jī)�(qū)動電�,適用于工業(yè)控制中的變頻器和伺服�(qū)動器�
3. DC-DC �(zhuǎn)換器,用于電動汽車和新能源設(shè)備中的高效能量轉(zhuǎn)��
4. UPS 不間斷電源系�(tǒng),提供穩(wěn)定可靠的后備電源解決方案�
5. LED �(qū)動器,確保高亮度照明系統(tǒng)的高效運(yùn)行�
IRFP460,
STP12NK60Z,
FDP12N60,
IXFN12N60T2