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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > RHRD660S9A

RHRD660S9A 發(fā)布時間 時間�2025/6/4 12:12:47 查看 閱讀�9

RHRD660S9A 是一款由 Rohm 公司推出的高� MOSFET 芯片,主要用于功率轉換和電機驅動等應用領�。該器件采用了先進的溝槽� MOSFET 技�,具有低導通電�、高效率和出色的熱性能。其設計旨在滿足工業(yè)和汽車應用中對高效能和可靠性的嚴格要求�
  RHRD660S9A 的封裝形式通常為行�(yè)標準的表面貼裝類�,能夠承受較高的電壓和電流負�,同時具備快速開關特性,適用于高頻開關電源和逆變器等場景�

參數

最大漏源電壓:650V
  連續(xù)漏極電流�13A
  導通電阻:270mΩ
  柵極-源極電壓:�20V
  工作結溫范圍�-55� � 175�
  總功耗:30W

特�

RHRD660S9A 的主要特性包括:
  1. 高耐壓能力,最大漏源電壓可� 650V,適合高壓環(huán)境下的應��
  2. 低導通電阻(270mΩ�,可顯著降低傳導損�,提高整體效率�
  3. 快速開關速度,支持高頻操作,減少開關損��
  4. 寬工作溫度范圍(-55� � 175℃),適應各種惡劣環(huán)��
  5. 符合 AEC-Q101 標準,確保在汽車級應用中的可靠��
  6. 提供過熱保護功能,增強系�(tǒng)安全性�

應用

RHRD660S9A 廣泛應用于以下領域:
  1. 開關電源(SMPS)和 AC-DC 轉換��
  2. 工業(yè)電機驅動和逆變��
  3. 汽車電子系統(tǒng),如電動助力轉向(EPS)和制動系統(tǒng)�
  4. 太陽能微型逆變器和其他可再生能源設��
  5. LED 照明驅動��
  6. 其他需要高壓功率切換的應用場景�

替代型號

RHRD660S9B, IRF840, FDP55N65

rhrd660s9a推薦供應� 更多>

  • 產品型號
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rhrd660s9a資料 更多>

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rhrd660s9a參數

  • 標準包裝1
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭單二極管/整流�
  • 系列-
  • 二極管類�標準
  • 電壓 - (Vr)(最大)600V
  • 電流 - 平均整流 (Io)6A
  • 電壓 - � If 時為正向 (Vf)(最大)2.1V @ 6A
  • 速度快速恢� = 200mA(Io�
  • 反向恢復時間(trr)35ns
  • 電流 - � Vr 時反向漏�100µA @ 600V
  • 電容@ Vr, F-
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應商設備封�TO-252-3
  • 包裝Digi-Reel®
  • 其它名稱RHRD660S9ADKR