RHRD660S9A 是一款由 Rohm 公司推出的高� MOSFET 芯片,主要用于功率轉換和電機驅動等應用領�。該器件采用了先進的溝槽� MOSFET 技�,具有低導通電�、高效率和出色的熱性能。其設計旨在滿足工業(yè)和汽車應用中對高效能和可靠性的嚴格要求�
RHRD660S9A 的封裝形式通常為行�(yè)標準的表面貼裝類�,能夠承受較高的電壓和電流負�,同時具備快速開關特性,適用于高頻開關電源和逆變器等場景�
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�13A
導通電阻:270mΩ
柵極-源極電壓:�20V
工作結溫范圍�-55� � 175�
總功耗:30W
RHRD660S9A 的主要特性包括:
1. 高耐壓能力,最大漏源電壓可� 650V,適合高壓環(huán)境下的應��
2. 低導通電阻(270mΩ�,可顯著降低傳導損�,提高整體效率�
3. 快速開關速度,支持高頻操作,減少開關損��
4. 寬工作溫度范圍(-55� � 175℃),適應各種惡劣環(huán)��
5. 符合 AEC-Q101 標準,確保在汽車級應用中的可靠��
6. 提供過熱保護功能,增強系�(tǒng)安全性�
RHRD660S9A 廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)和 AC-DC 轉換��
2. 工業(yè)電機驅動和逆變��
3. 汽車電子系統(tǒng),如電動助力轉向(EPS)和制動系統(tǒng)�
4. 太陽能微型逆變器和其他可再生能源設��
5. LED 照明驅動��
6. 其他需要高壓功率切換的應用場景�
RHRD660S9B, IRF840, FDP55N65