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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1812A562GBBAT31G

GA1812A562GBBAT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/21 18:44:37 查看 閱讀�17

GA1812A562GBBAT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開(kāi)�(guān)等場(chǎng)�。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻、高效率和良好的熱性能等特�(diǎn)。其封裝形式通常為表面貼裝類型,便于自動(dòng)化生�(chǎn)和系�(tǒng)集成�
  該型�(hào)中的�(guān)鍵參�(shù)表明它適合于中高電流的應(yīng)用場(chǎng)合,同時(shí)能夠提供�(wěn)定的電氣性能和可靠�,適用于工業(yè)�(jí)或消�(fèi)�(jí)電子�(shè)��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�20A
  �(dǎo)通電阻:2.5mΩ
  柵極電荷�35nC
  �(kāi)�(guān)速度:納秒級(jí)
  工作溫度范圍�-55℃至150�

特�

GA1812A562GBBAT31G的核心優(yōu)�(shì)在于其低�(dǎo)通電阻設(shè)�(jì),這有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高整體能效。此�,該芯片具備快速的�(kāi)�(guān)特性,可支持高頻操�,從而減小外部元件體積并�(yōu)化電路布局�
  其出色的熱管理和�(jiān)固的�(jié)�(gòu)使其能夠在嚴(yán)苛的工作條件下保持穩(wěn)定運(yùn)�。同�(shí),由于采用了先�(jìn)的封裝技�(shù),該器件還具備較�(qiáng)的抗靜電能力和電磁兼容性,�(jìn)一步增�(qiáng)了系�(tǒng)的可靠性和耐用��

�(yīng)�

該功率MOSFET適用于多種電力電子應(yīng)用場(chǎng)�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換模�
  3. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
  4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�
  5. 汽車電子中的�(fù)載切�
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)
  在這些�(yīng)用中,GA1812A562GBBAT31G憑借其高效的功率處理能�,成為設(shè)�(jì)工程師的理想選擇�

替代型號(hào)

IRFZ44N
  FDP5802
  AON7722

ga1812a562gbbat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容5600 pF
  • 容差±2%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1812�4532 公制�
  • 大小 / 尺寸0.177" �(zhǎng) x 0.126" 寬(4.50mm x 3.20mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"�2.18mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-