GA1812Y823JBLAR31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效率功率晶體管,適用于高頻和高功率應(yīng)用場(chǎng)�。該器件采用了先�(jìn)� GaN-on-Si 工藝,具有卓越的�(kāi)�(guān)性能和低�(dǎo)通電阻特�,能夠顯著提升電源轉(zhuǎn)換系�(tǒng)的效�。它廣泛�(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、通信�(shè)備電源以及工�(yè)電源等領(lǐng)��
這款晶體管設(shè)�(jì)上注重高溫穩(wěn)定性和可靠性,適合在高�(fù)載和高頻工作條件下使�,同�(shí)其封裝形式優(yōu)化了散熱性能,便于系�(tǒng)集成�
型號(hào):GA1812Y823JBLAR31G
�(lèi)型:增強(qiáng)型功率晶體管
材料:氮化鎵(GaN�
額定電壓�650V
額定電流�12A
�(dǎo)通電阻:40mΩ
柵極電荷�75nC
最大工作溫度:175°C
封裝形式:TO-247-4L
GA1812Y823JBLAR31G 的主要特�(diǎn)是其高效的開(kāi)�(guān)性能與低�(dǎo)通損�。具體來(lái)�(shuō)�
1. 高頻率操作能力:由于其快速的�(kāi)�(guān)速度和低寄生電感,該器件非常適合高頻�(yīng)用場(chǎng)��
2. 低導(dǎo)通電阻:僅為 40mΩ � Rds(on) 值使其在大電流應(yīng)用中表現(xiàn)出色�
3. 熱穩(wěn)定性:支持高達(dá) 175°C 的結(jié)�,保證了高溫�(huán)境下的可靠運(yùn)行�
4. 高效能量�(zhuǎn)換:�(jié)合低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,可�(shí)�(xiàn)更高的系�(tǒng)效率�
5. 封裝�(yōu)化:采用 TO-247-4L 封裝,提供出色的散熱性能和易于安裝的特點(diǎn)�
GA1812Y823JBLAR31G 廣泛用于需要高效能和高頻率的電力電子應(yīng)用中。典型的�(yīng)用包括:
1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器
3. 不間斷電源(UPS�
4. 光伏逆變�
5. 電機(jī)�(qū)�(dòng)
6. 通信基站電源
7. 工業(yè)電源模塊
由于其優(yōu)越的性能,該芯片也逐漸被電�(dòng)汽車(chē)充電�(shè)備等新興�(lǐng)域所采用�
GA1812Y823JBHAR31G, GA1812Y823JBLBR31G