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GA1812Y823JBLAR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/5 16:55:06 查看 閱讀�9

GA1812Y823JBLAR31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效率功率晶體管,適用于高頻和高功率應(yīng)用場(chǎng)�。該器件采用了先�(jìn)� GaN-on-Si 工藝,具有卓越的�(kāi)�(guān)性能和低�(dǎo)通電阻特�,能夠顯著提升電源轉(zhuǎn)換系�(tǒng)的效�。它廣泛�(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、通信�(shè)備電源以及工�(yè)電源等領(lǐng)��
  這款晶體管設(shè)�(jì)上注重高溫穩(wěn)定性和可靠性,適合在高�(fù)載和高頻工作條件下使�,同�(shí)其封裝形式優(yōu)化了散熱性能,便于系�(tǒng)集成�

參數(shù)

型號(hào):GA1812Y823JBLAR31G
  �(lèi)型:增強(qiáng)型功率晶體管
  材料:氮化鎵(GaN�
  額定電壓�650V
  額定電流�12A
  �(dǎo)通電阻:40mΩ
  柵極電荷�75nC
  最大工作溫度:175°C
  封裝形式:TO-247-4L

特�

GA1812Y823JBLAR31G 的主要特�(diǎn)是其高效的開(kāi)�(guān)性能與低�(dǎo)通損�。具體來(lái)�(shuō)�
  1. 高頻率操作能力:由于其快速的�(kāi)�(guān)速度和低寄生電感,該器件非常適合高頻�(yīng)用場(chǎng)��
  2. 低導(dǎo)通電阻:僅為 40mΩ � Rds(on) 值使其在大電流應(yīng)用中表現(xiàn)出色�
  3. 熱穩(wěn)定性:支持高達(dá) 175°C 的結(jié)�,保證了高溫�(huán)境下的可靠運(yùn)行�
  4. 高效能量�(zhuǎn)換:�(jié)合低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,可�(shí)�(xiàn)更高的系�(tǒng)效率�
  5. 封裝�(yōu)化:采用 TO-247-4L 封裝,提供出色的散熱性能和易于安裝的特點(diǎn)�

�(yīng)�

GA1812Y823JBLAR31G 廣泛用于需要高效能和高頻率的電力電子應(yīng)用中。典型的�(yīng)用包括:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器
  3. 不間斷電源(UPS�
  4. 光伏逆變�
  5. 電機(jī)�(qū)�(dòng)
  6. 通信基站電源
  7. 工業(yè)電源模塊
  由于其優(yōu)越的性能,該芯片也逐漸被電�(dòng)汽車(chē)充電�(shè)備等新興�(lǐng)域所采用�

替代型號(hào)

GA1812Y823JBHAR31G, GA1812Y823JBLBR31G

ga1812y823jblar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.082 μF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定630V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車(chē)�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1812�4532 公制�
  • 大小 / 尺寸0.177" �(zhǎng) x 0.126" 寬(4.50mm x 3.20mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"�2.18mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-