電容值：2.2μF
　　額定電壓：50V
　　封裝形式：1210
　　耐溫范圍：-55℃至+125℃
　　介質(zhì)材料：X7R
　　公差：±10%
　　工作溫度下電容變化：±15%

GCQ1555C1H220GB01D采用了先進(jìn)的多層陶瓷工藝制造，能夠提供非常穩(wěn)定的電容值，尤其在寬溫度范圍內(nèi)表現(xiàn)優(yōu)異。X7R介質(zhì)材料確保了其在-55℃到+125℃的工作溫度區(qū)間內(nèi)，電容值的變化控制在±15%以內(nèi)。
　　該電容器還具備較低的ESR和ESL，因此非常適合用于高頻開關(guān)電源、音頻放大器和其他對(duì)頻率響應(yīng)要求較高的應(yīng)用場(chǎng)景。
　　此外，其封裝尺寸為1210（3.2mm x 2.5mm），體積小巧但容量大，能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)于小型化和高性能的雙重需求。
　　由于其優(yōu)秀的可靠性和穩(wěn)定性，這款電容器廣泛應(yīng)用于通信設(shè)備、計(jì)算機(jī)主板、消費(fèi)類電子產(chǎn)品等領(lǐng)域。

GCQ1555C1H220GB01D適用于多種電子電路場(chǎng)景，包括但不限于以下方面：
　　1. 高頻濾波：在開關(guān)電源或DC-DC轉(zhuǎn)換器中用作輸入輸出濾波電容，可有效減少紋波電壓并提高電源效率。
　　2. 耦合與旁路：用于音頻放大器或其他信號(hào)處理電路中，起到信號(hào)耦合或去耦的作用，確保信號(hào)完整性。
　　3. 去耦網(wǎng)絡(luò)：在高速數(shù)字電路中，為芯片供電軌提供穩(wěn)定的電壓支持，抑制電源噪聲。
　　4. 射頻電路：由于其低ESR和低ESL特性，也可在射頻前端模塊中作為匹配網(wǎng)絡(luò)的一部分使用。
　　總之，GCQ1555C1H220GB01D憑借其出色的性能指標(biāo)，成為眾多電子設(shè)計(jì)工程師的理想選擇。

GCJ1555C1H220GB01D
　　Kemet C1210X7R1C225K
　　Taiyo Yuden UEC2A225KL-P
　　Vishay VJ1210X7R225KA6T2