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GD9FU1G8F3AMGI 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/27 18:14:00 查看 閱讀:17

GD9FU1G8F3AMGI 是一款由長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)(GigaDevice)生產(chǎn)的 DDR4 內(nèi)存顆粒芯片。該芯片主要應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、服務(wù)器和其他需要高性能內(nèi)存的電子設(shè)備中,提供高速數(shù)據(jù)傳輸和大容量存儲(chǔ)功能。
  DDR4(Double Data Rate 4)是第四代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器技術(shù),相較于前幾代產(chǎn)品具有更高的頻率、更低的工作電壓和更高的能效。

參數(shù)

類型:DDR4 SDRAM
  容量:8Gb
  工作電壓:1.2V
  數(shù)據(jù)速率:2133MT/s 至 3200MT/s
  I/O 寬度:x8/x16
  封裝形式:BGA
  工作溫度:-40°C 至 +85°C
  引腳數(shù):78-ball

特性

GD9FU1G8F3AMGI 提供了多項(xiàng)先進(jìn)的特性,使其在性能和穩(wěn)定性方面表現(xiàn)出色。
  1. 更高的帶寬:DDR4 的數(shù)據(jù)傳輸速率相比 DDR3 提升顯著,最高可達(dá) 3200MT/s。
  2. 低功耗設(shè)計(jì):采用 1.2V 工作電壓,相比 DDR3 的 1.5V 減少了能耗,提高了效率。
  3. ECC 支持:部分型號(hào)支持糾錯(cuò)碼(ECC),增強(qiáng)了數(shù)據(jù)完整性和可靠性。
  4. 強(qiáng)大的散熱性能:優(yōu)化的芯片設(shè)計(jì)使得發(fā)熱更少,適合長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行。
  5. 高密度存儲(chǔ):?jiǎn)晤w芯片即可實(shí)現(xiàn)大容量存儲(chǔ),滿足現(xiàn)代計(jì)算需求。

應(yīng)用

GD9FU1G8F3AMGI 主要用于以下領(lǐng)域:
  1. 臺(tái)式電腦和筆記本電腦的內(nèi)存模塊。
  2. 數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器的高密度內(nèi)存條。
  3. 工業(yè)控制設(shè)備中的實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)處理。
  4. 嵌入式系統(tǒng)中的高速緩存應(yīng)用。
  5. 網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備的緩沖存儲(chǔ)。
  這款芯片憑借其高性能和穩(wěn)定性,成為眾多廠商生產(chǎn)內(nèi)存模組的核心元件。

替代型號(hào)

MT41K128M16HT-093, IS42S16400J-5BTLI

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