類型：DDR4 SDRAM
　　容量：8Gb
　　工作電壓：1.2V
　　數(shù)據(jù)速率：2133MT/s 至 3200MT/s
　　I/O 寬度：x8/x16
　　封裝形式：BGA
　　工作溫度：-40°C 至 +85°C
　　引腳數(shù)：78-ball

GD9FU1G8F3AMGI 提供了多項(xiàng)先進(jìn)的特性，使其在性能和穩(wěn)定性方面表現(xiàn)出色。
　　1. 更高的帶寬：DDR4 的數(shù)據(jù)傳輸速率相比 DDR3 提升顯著，最高可達(dá) 3200MT/s。
　　2. 低功耗設(shè)計(jì)：采用 1.2V 工作電壓，相比 DDR3 的 1.5V 減少了能耗，提高了效率。
　　3. ECC 支持：部分型號(hào)支持糾錯(cuò)碼（ECC），增強(qiáng)了數(shù)據(jù)完整性和可靠性。
　　4. 強(qiáng)大的散熱性能：優(yōu)化的芯片設(shè)計(jì)使得發(fā)熱更少，適合長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行。
　　5. 高密度存儲(chǔ)：?jiǎn)晤w芯片即可實(shí)現(xiàn)大容量存儲(chǔ)，滿足現(xiàn)代計(jì)算需求。

GD9FU1G8F3AMGI 主要用于以下領(lǐng)域：
　　1. 臺(tái)式電腦和筆記本電腦的內(nèi)存模塊。
　　2. 數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器的高密度內(nèi)存條。
　　3. 工業(yè)控制設(shè)備中的實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)處理。
　　4. 嵌入式系統(tǒng)中的高速緩存應(yīng)用。
　　5. 網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備的緩沖存儲(chǔ)。
　　這款芯片憑借其高性能和穩(wěn)定性，成為眾多廠商生產(chǎn)內(nèi)存模組的核心元件。

MT41K128M16HT-093, IS42S16400J-5BTLI