GJM0222C1C2R1WB01D是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效率功率晶體�,專為高頻開�(guān)�(yīng)用而設(shè)�。該器件采用先進的封裝工藝,能夠提供卓越的電氣性能和熱性能。其主要�(yīng)用于電源�(zhuǎn)�、電機驅(qū)動、太陽能逆變器以及其他需要高效能量轉(zhuǎn)換的場景�
這款芯片具有低導(dǎo)通電�、高擊穿電壓和快速開�(guān)速度的特點,使其非常適合于現(xiàn)代電子設(shè)備中對效率和小型化要求較高的場合�
型號:GJM0222C1C2R1WB01D
類型:增強型氮化鎵場效應(yīng)晶體管(eGaN FET�
最大漏源電�(Vds)�650V
最大柵極驅(qū)動電�(Vgs)�+6V/-4V
�(dǎo)通電�(Rds(on))�70mΩ(典型�,在Vgs=6V時)
最大漏極電�(Id)�18A
工作溫度范圍�-55℃至+175�
封裝形式:TO-263-7(D2PAK-7L�
1. 低導(dǎo)通電阻確保了在高負載條件下具有較低的功��
2. 高速開�(guān)能力使得它可以用于高頻應(yīng)用,從而減小了無源元件的尺��
3. �(nèi)置ESD保護提高了芯片的抗靜電能力,增強了可靠��
4. 支持零電壓開�(guān)(ZVS)和硬開�(guān)拓撲�(jié)�(gòu),靈活性強�
5. 先進的熱管理設(shè)計保證了長時間運行下的穩(wěn)定��
6. 符合RoHS標準,環(huán)保且安全�
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的PFC級和主變換器�
2. 工業(yè)電機�(qū)動控制電��
3. 太陽能微型逆變器和�(yōu)化器�
4. �(shù)�(jù)中心及電信設(shè)備中的高效DC-DC�(zhuǎn)換模��
5. 快速充電器和適配器�
6. 電動汽車車載充電器和其他高功率密度系�(tǒng)�
GJN0222C1C2R1WB01D
GJM0222C1C2R2WB01D