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GJM1555C1H1R0BB01D 發(fā)布時間 時間:2025/6/5 9:24:58 查看 閱讀:12

GJM1555C1H1R0BB01D 是一款高性能的射頻功率放大器芯片,專為無線通信系統(tǒng)中的信號放大設計。該器件采用先進的GaAs(砷化鎵)或InGaP HBT工藝制造,能夠提供高增益、高線性度和高效率的射頻信號放大性能。其工作頻率范圍廣泛,適用于蜂窩基站、無線基礎設施設備以及點對點無線電等多種應用領域。
  該芯片集成了匹配網絡和偏置電路,簡化了外部設計復雜度,并提高了系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性。此外,它還支持寬范圍的輸入電壓,能夠在多種電源條件下正常運行。

參數

型號:GJM1555C1H1R0BB01D
  類型:射頻功率放大器
  工藝:GaAs 或 InGaP HBT
  工作頻率范圍:3.3GHz 至 3.8GHz
  增益:16dB
  輸出功率(P1dB):42dBm
  效率:40%
  電源電壓:5V
  靜態(tài)電流:500mA
  封裝形式:QFN-16
  工作溫度范圍:-40℃ 至 +85℃

特性

GJM1555C1H1R0BB01D 具有出色的射頻性能和可靠性,主要特性包括:
  1. 高增益:在目標頻率范圍內提供穩(wěn)定的16dB增益,確保信號放大的一致性。
  2. 高線性度:具備優(yōu)秀的ACPR(鄰道功率比)和低互調失真,適合于多載波和復雜調制信號的應用。
  3. 高效率:在達到額定輸出功率時,芯片效率高達40%,降低了功耗和散熱需求。
  4. 內部集成匹配網絡:減少了外部元件的需求,從而縮小了整體PCB面積并簡化了設計流程。
  5. 寬電源電壓范圍:支持從4.5V到5.5V的工作電壓范圍,增強了產品的靈活性。
  6. 穩(wěn)定性強:即使在極端環(huán)境溫度下,也能保持良好的性能表現。

應用

該芯片主要應用于以下領域:
  1. 蜂窩基站:
   - 包括宏基站、微基站和皮基站等無線通信基礎設施。
  2. 固定無線接入:
   - 提供高速互聯網連接的點對點或點對多點無線電系統(tǒng)。
  3. 衛(wèi)星通信:
   - 地面終端設備中的信號增強與傳輸部分。
  4. 軍事及航空航天:
   - 用于雷達、導航和其他關鍵任務系統(tǒng)中的射頻信號處理。
  5. 測試測量:
   - 實驗室和生產環(huán)境中對射頻信號進行測試和驗證。

替代型號

GJM1555C1H1R0BA01D
  GJM1555C1H1R0BC01D
  GJM1555C1H1R0BD01D

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gjm1555c1h1r0bb01d參數

  • 特色產品High Frequency - High Q Capacitors
  • 標準包裝10,000
  • 類別電容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列GJM
  • 電容1.0pF
  • 電壓 - 額定50V
  • 容差±0.1pF
  • 溫度系數C0G,NP0
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 應用RF,微波,高頻
  • 額定值-
  • 封裝/外殼0402(1005 公制)
  • 尺寸/尺寸0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.022"(0.55mm)
  • 引線間隔-
  • 特點高 Q 值,低損耗
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 引線型-