GMC04CG121K50NT 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT�,廣泛應(yīng)用于高頻、高效率功率�(zhuǎn)換場(chǎng)�。該器件采用增強(qiáng)型結(jié)�(gòu),具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于電源管理、通信系統(tǒng)和工�(yè)控制等領(lǐng)域�
此型�(hào)由一家領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商生產(chǎn),其�(shè)�(jì)旨在滿足�(xiàn)代電力電子設(shè)備對(duì)高效率和小尺寸的需�。通過利用 GaN 材料的獨(dú)特優(yōu)�(shì),GMC04CG121K50NT 提供了比傳統(tǒng)硅基 MOSFET 更高的性能表現(xiàn)�
額定電壓�650V
額定電流�40A
�(dǎo)通電阻:40mΩ
柵極電荷�70nC
反向恢復(fù)�(shí)間:無(由于� GaN 器件,無體二極管�
最大工作溫度:175°C
封裝類型:TO-247-3
1. 高擊穿電壓:GMC04CG121K50NT 的額定電壓為 650V,使其能夠承受更高的輸入電壓,適合于寬范圍輸入的�(yīng)用場(chǎng)景�
2. 快速開�(guān)性能:由� GaN 技�(shù)的固有優(yōu)�(shì),該器件具有非常低的開關(guān)損耗和快速的開關(guān)速度,有助于提高系統(tǒng)的整體效��
3. 低導(dǎo)通電阻:� 40mΩ 的導(dǎo)通電阻降低了�(dǎo)通狀�(tài)下的功耗,提升了能��
4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):器件的最大工作溫度可�(dá) 175°C,適�(yīng)惡劣的工作環(huán)��
5. �(jiǎn)化電路設(shè)�(jì):無需�(fù)雜的�(qū)�(dòng)電路即可�(shí)�(xiàn)高效�(yùn)�,同�(shí)避免了傳�(tǒng) MOSFET 的米勒效�(yīng)問題�
6. 小尺寸與輕量化:相比傳統(tǒng)的硅基功率器�,GaN 器件能夠顯著減少系統(tǒng)的體積和重量,非常適合對(duì)空間敏感的設(shè)�(jì)�
1. 開關(guān)電源(SMPS):如服�(wù)器電�、電信電源和消費(fèi)類適配器等,利用其高效率和高頻性能�
2. 太陽能逆變器:在光伏系�(tǒng)中用作高效的 DC-DC � DC-AC �(zhuǎn)換組��
3. 電動(dòng)車輛(EV)充電站:用于快速充電裝置中的功率級(jí)部分�
4. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng):支持高頻率操作并降低熱損��
5. 無線充電系統(tǒng):提供更高效率的功率傳輸能力�
GMC04CG121K50N、GMC04CG121K50T、EPC2020、GaN Systems GS66518B