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KLM4G1FE3B-B001 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/30 20:47:29 查看 閱讀�34

KLM4G1FE3B-B001 是一款由 KIOXIA(原東芝存儲(chǔ)器)生產(chǎn)� NAND 閃存芯片,采� e.MMC 5.1 �(guī)范。該芯片主要�(yīng)用于嵌入式系�(tǒng)、移�(dòng)�(shè)備以及需要高效存�(chǔ)解決方案的消�(fèi)電子�(chǎn)品中。其�(shè)�(jì)注重低功耗和高可靠�,適用于�(duì)存儲(chǔ)容量和性能有較高要求的�(chǎng)��

參數(shù)

存儲(chǔ)容量�4GB
  接口類型:e.MMC 5.1
  封裝形式:BGA 153 �
  工作電壓�1.7V~1.95V (I/O), 2.7V~3.6V (Vcc)
  �(shù)�(jù)傳輸速率:最� 400MB/s
  工作溫度范圍�-25� � +85�
  擦寫壽命:約 3000 次(視具體使用情況而定�

特�

KLM4G1FE3B-B001 具備以下顯著特性:
  1. 高密度存�(chǔ)�4GB 的存�(chǔ)容量能夠滿足大多�(shù)嵌入式系�(tǒng)的存�(chǔ)需求�
  2. 高速數(shù)�(jù)傳輸:支� e.MMC 5.1 �(biāo)�(zhǔn),具備高速讀寫能�,適合需要快速加載和處理�(shù)�(jù)的應(yīng)用場(chǎng)景�
  3. 小型化設(shè)�(jì):采� BGA 153 封裝,具有較小的體積,適合空間受限的�(shè)�(jì)�
  4. 低功耗運(yùn)行:�(yōu)化的電源管理�(shè)�(jì)使其在各類工作模式下都能保持較低的功��
  5. 可靠性保障:�(nèi)� ECC(錯(cuò)誤校正碼)引擎,確保�(shù)�(jù)的完整性和可靠��
  6. 廣泛的工作溫度范圍:� -25� � +85℃,適應(yīng)多種�(huán)境條��

�(yīng)�

KLM4G1FE3B-B001 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 嵌入式系�(tǒng):如工業(yè)控制�(shè)�、醫(yī)療設(shè)備和自動(dòng)化系�(tǒng)中的存儲(chǔ)模塊�
  2.平板電腦等便攜式電子�(shè)備的�(nèi)部存�(chǔ)�
  3. 物聯(lián)�(wǎng)(IoT)設(shè)備:為智能家電、可穿戴�(shè)備和其他物聯(lián)�(wǎng)終端提供�(wěn)定的存儲(chǔ)支持�
  4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:如數(shù)碼相�(jī)、游戲機(jī)等需要高效存�(chǔ)解決方案的產(chǎn)��

替代型號(hào)

KLM4G1GE3B-B001, KLM8G1FE3B-B001

klm4g1fe3b-b001推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)