GMC04CG331F50NT 是一款基于氮化鎵(GaN)技術的高電子遷移率晶體管(HEMT),屬于 GaN Systems 的功率器件系�。該型號適用于高�、高效能電力�(zhuǎn)換場景,廣泛應用于電源管�、可再生能源系統(tǒng)、數(shù)�(jù)中心供電和工�(yè)�(qū)動等領域�
該芯片采用增強型結構設計,支持高電壓操作,同時具備低導通電阻特�,能夠顯著提升系�(tǒng)的效率與功率密度�
額定電壓�650V
最大漏極電流:28A
導通電阻:33mΩ
柵極電荷�90nC
開關頻率:高� 2MHz
封裝形式:GaN Enhanced Power Package (EPP)
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
GMC04CG331F50NT 具備卓越的性能特點�
1. 基于先進的 GaN 技�,提供更高的開關速度和更低的開關損��
2. 超低導通電阻有效減少傳導損�,提高整體效率�
3. 支持高頻運行,能夠縮小無源元件尺�,從而實�(xiàn)更緊湊的設計�
4. 高溫適應性強,能夠在極端�(huán)境下保持�(wěn)定工��
5. �(nèi)置靜電保護(ESD)功�,增強可靠性�
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且安全可靠�
GMC04CG331F50NT 廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)及 AC/DC �(zhuǎn)換器�
2. 太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)�
3. �(shù)�(jù)中心電源模塊�
4. 電動車輛(EV)車載充電器(OBC)與 DC/DC �(zhuǎn)換器�
5. 工業(yè)電機�(qū)動和不間斷電源(UPS��
6. 消費電子快充適配器等高性能需求產(chǎn)��
GMC04CG332F50NT
GMC04CG333F50NT