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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GQM1882C1H430GB01J

GQM1882C1H430GB01J 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/13 12:12:16 查看 閱讀�22

GQM1882C1H430GB01J是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和工�(yè)控制等領(lǐng)域。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和出色的熱性能,能夠滿足多種高效率和高可靠性應(yīng)用需��
  這款器件屬于溝道增強(qiáng)型MOSFET,具有N溝道特性,適合用作�(kāi)�(guān)元件或放大器,在各種�(fù)載條件下表現(xiàn)出優(yōu)異的性能�

參數(shù)

�(lèi)型:N溝道MOSFET
  最大漏源電壓Vds�60V
  最大柵源電壓Vgs:�20V
  連續(xù)漏極電流Id�43A
  �(dǎo)通電阻Rds(on)�1.5mΩ(典型值)
  柵極電荷Qg�38nC
  總電容Ciss�2900pF
  工作溫度范圍Tj�-55°C�+175°C
  封裝形式:TO-247

特�

GQM1882C1H430GB01J具備以下顯著特點(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 快速開(kāi)�(guān)能力,適合高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)�,減少開(kāi)�(guān)損��
  3. 高電流承載能力,適用于大功率�(chǎng)��
  4. 良好的熱�(wěn)定�,確保在極端溫度條件下的可靠�(yùn)��
  5. 具備�(qiáng)大的抗雪崩能力和�(guò)載保�(hù)功能,提升了整體系統(tǒng)的魯棒��
  6. 封裝�(shè)�(jì)�(yōu)化散熱路徑,�(jìn)一步增�(qiáng)了長(zhǎng)期使用的可靠��

�(yīng)�

GQM1882C1H430GB01J廣泛用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主開(kāi)�(guān)��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器的同步整流和高頻�(kāi)�(guān)元件�
  3. 工業(yè)�(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器控��
  4. 新能源汽�(chē)中的電池管理系統(tǒng)(BMS)和充電模塊�
  5. 大功率LED照明�(qū)�(dòng)電路�
  6. 各類(lèi)工業(yè)自動(dòng)化控制和家電�(qū)�(dòng)電路中作為高效功率開(kāi)�(guān)�

替代型號(hào)

GQM1882C1H430GB01K, IRFP2907, STP100NF06L

gqm1882c1h430gb01j推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)