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GQM1882C1H430GB01J 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/13 12:12:16 查看 閱讀:22

GQM1882C1H430GB01J是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和工業(yè)控制等領(lǐng)域。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度和出色的熱性能,能夠滿足多種高效率和高可靠性應(yīng)用需求。
  這款器件屬于溝道增強(qiáng)型MOSFET,具有N溝道特性,適合用作開(kāi)關(guān)元件或放大器,在各種負(fù)載條件下表現(xiàn)出優(yōu)異的性能。

參數(shù)

類(lèi)型:N溝道MOSFET
  最大漏源電壓Vds:60V
  最大柵源電壓Vgs:±20V
  連續(xù)漏極電流Id:43A
  導(dǎo)通電阻Rds(on):1.5mΩ(典型值)
  柵極電荷Qg:38nC
  總電容Ciss:2900pF
  工作溫度范圍Tj:-55°C至+175°C
  封裝形式:TO-247

特性

GQM1882C1H430GB01J具備以下顯著特點(diǎn):
  1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。
  2. 快速開(kāi)關(guān)能力,適合高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用,減少開(kāi)關(guān)損耗。
  3. 高電流承載能力,適用于大功率場(chǎng)景。
  4. 良好的熱穩(wěn)定性,確保在極端溫度條件下的可靠運(yùn)行。
  5. 具備強(qiáng)大的抗雪崩能力和過(guò)載保護(hù)功能,提升了整體系統(tǒng)的魯棒性。
  6. 封裝設(shè)計(jì)優(yōu)化散熱路徑,進(jìn)一步增強(qiáng)了長(zhǎng)期使用的可靠性。

應(yīng)用

GQM1882C1H430GB01J廣泛用于以下領(lǐng)域:
  1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中的主開(kāi)關(guān)管。
  2. DC-DC轉(zhuǎn)換器的同步整流和高頻開(kāi)關(guān)元件。
  3. 工業(yè)設(shè)備中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)和逆變器控制。
  4. 新能源汽車(chē)中的電池管理系統(tǒng)(BMS)和充電模塊。
  5. 大功率LED照明驅(qū)動(dòng)電路。
  6. 各類(lèi)工業(yè)自動(dòng)化控制和家電驅(qū)動(dòng)電路中作為高效功率開(kāi)關(guān)。

替代型號(hào)

GQM1882C1H430GB01K, IRFP2907, STP100NF06L

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