GQM1882C1H430GB01J是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和工�(yè)控制等領(lǐng)域。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和出色的熱性能,能夠滿足多種高效率和高可靠性應(yīng)用需��
這款器件屬于溝道增強(qiáng)型MOSFET,具有N溝道特性,適合用作�(kāi)�(guān)元件或放大器,在各種�(fù)載條件下表現(xiàn)出優(yōu)異的性能�
�(lèi)型:N溝道MOSFET
最大漏源電壓Vds�60V
最大柵源電壓Vgs:�20V
連續(xù)漏極電流Id�43A
�(dǎo)通電阻Rds(on)�1.5mΩ(典型值)
柵極電荷Qg�38nC
總電容Ciss�2900pF
工作溫度范圍Tj�-55°C�+175°C
封裝形式:TO-247
GQM1882C1H430GB01J具備以下顯著特點(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)能力,適合高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)�,減少開(kāi)�(guān)損��
3. 高電流承載能力,適用于大功率�(chǎng)��
4. 良好的熱�(wěn)定�,確保在極端溫度條件下的可靠�(yùn)��
5. 具備�(qiáng)大的抗雪崩能力和�(guò)載保�(hù)功能,提升了整體系統(tǒng)的魯棒��
6. 封裝�(shè)�(jì)�(yōu)化散熱路徑,�(jìn)一步增�(qiáng)了長(zhǎng)期使用的可靠��
GQM1882C1H430GB01J廣泛用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主開(kāi)�(guān)��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器的同步整流和高頻�(kāi)�(guān)元件�
3. 工業(yè)�(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器控��
4. 新能源汽�(chē)中的電池管理系統(tǒng)(BMS)和充電模塊�
5. 大功率LED照明�(qū)�(dòng)電路�
6. 各類(lèi)工業(yè)自動(dòng)化控制和家電�(qū)�(dòng)電路中作為高效功率開(kāi)�(guān)�
GQM1882C1H430GB01K, IRFP2907, STP100NF06L