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GS04A12T3V3 發(fā)布時間 時間�2025/3/17 16:15:34 查看 閱讀�102

GS04A12T3V3 是一款基� GaN(氮化鎵)技�(shù)的高效率功率開關(guān)器件,專為高頻開�(guān)�(yīng)用設(shè)�。該器件具有低導(dǎo)通電阻、快速開�(guān)速度和高耐壓特�,適用于各種電源�(zhuǎn)換場景,� DC-DC �(zhuǎn)換器、無線充電模塊及快充適配器等。其封裝形式緊湊,適合高密度�(shè)計需求�
  GaN 技�(shù)使得 GS04A12T3V3 在性能上超越傳�(tǒng)的硅� MOSFET,能夠顯著提高系�(tǒng)效率并減小整體體積。此�,它支持高達 650V 的工作電�,確保了在高壓環(huán)境下的穩(wěn)定運��

參數(shù)

類型:增強型 GaN 功率晶體�
  最大漏源電� Vds�650V
  最大柵源電� Vgs�+6V/-4V
  �(dǎo)通電� Rds(on)�120mΩ(典型值,@Ids=4A,Vgs=4V�
  最大持�(xù)漏極電流 Id�4A
  開關(guān)頻率:高� 2MHz
  �(jié)溫范圍:-55� � +150�

特�

1. 高效開關(guān)能力:得益于 GaN 材料的獨特性質(zhì),GS04A12T3V3 可以實現(xiàn)超快的開�(guān)速度,從而減少開�(guān)損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 小型化設(shè)計:相比傳統(tǒng)硅器�,使� GaN 技�(shù)可以大幅降低寄生電容和電�,進而縮小電路板尺寸和熱管理需��
  3. 熱穩(wěn)定性強:即使在高溫�(huán)境下,該器件依然能保持穩(wěn)定的電氣性能,滿足工�(yè)級應(yīng)用的要求�
  4. 易于�(qū)動:兼容標準邏輯電平輸入,簡化了與控� IC 的接口設(shè)��
  5. 高可靠性:�(jīng)過嚴格的測試流程驗證,具備良好的抗浪涌能力和長期工作的穩(wěn)定��

�(yīng)�

GS04A12T3V3 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 消費類電子產(chǎn)品中的快速充電器和適配器�
  2. 工業(yè)� DC-DC �(zhuǎn)換器以及 AC-DC 開關(guān)電源�
  3. 太陽能微型逆變器和儲能系統(tǒng)�
  4. 無線充電�(fā)射端功率級優(yōu)��
  5. LED �(qū)動器和其他需要高�、高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場��

替代型號

EPC2016C、PSMN0R9-65YSKG � NXH006P04L。這些型號同樣基于先進半�(dǎo)體工藝制�,但在具體參�(shù)和封裝形式上可能略有差異,請根據(jù)實際項目需求選擇最合適的解決方��

gs04a12t3v3推薦供應(yīng)� 更多>

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