時間�2025/5/9 18:14:10
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GST5009MLF是一款高性能、小封裝的N溝道增強型MOSFET，廣泛應用于需要高效功率開關的場景。該器件采用了先進的半導體工藝制�，具有低導通電阻和快速開關速度的特點，適合于消費電�、計算機外圍設備以及通信設備中的電源管理應用�
最大漏源電壓：30V
最大柵源電壓：±12V
連續(xù)漏極電流�9A
導通電阻（Rds(on)）：4.5mΩ
總耗散功率�1.8W
工作溫度范圍�-55°C�175°C
封裝類型：MLF
柵極電荷�12nC
反向恢復時間�6ns
GST5009MLF具有以下主要特性：
1. 極低的導通電�，有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速開關速度，能夠有效降低開關損��
3. 高雪崩能�，提高了器件在異常條件下的可靠��
4. 小尺寸封�，節(jié)省了PCB空間，非常適合緊湊型設計�
5. 寬工作溫度范�，適應各種嚴苛的工作�(huán)��
6. 符合RoHS標準，環(huán)保無鉛設��
GST5009MLF適用于以下應用場景：
1. 開關模式電源(SMPS)中的同步整流�
2. DC/DC轉換器中的功率開��
3. 電池保護電路�
4. 消費類電子產品的負載開關�
5. LED驅動器中的開關元��
6. 電機控制和驅動電��
7. 通信設備中的信號切換�
GST50N09ML,
IRL5009,
AON5009,
FDMQ8209
