HDDB01NSB-P4 是一款高性能� MOSFET(金�-氧化�-半導體場效應晶體管)芯片,專為開�(guān)電源、電機驅(qū)動和負載切換等應用設(shè)�。該器件采用 N 溝道增強型技�(shù),具有低導通電阻和快速開�(guān)速度的特�,能夠顯著降低功率損耗并提升系統(tǒng)效率�
HDDB01NSB-P4 使用了先進的封裝工藝,支持表面貼裝,適合高密度電路板�(shè)�。其高可靠性和�(wěn)定性使其成為工�(yè)控制、汽車電子和消費類電子產(chǎn)品中的理想選��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�12A
導通電阻:3.5mΩ
柵極電荷�19nC
開關(guān)時間:典型� 8ns
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-220FP
HDDB01NSB-P4 的主要特性包括以下幾點:
1. 極低的導通電� (Rds(on)),在標準條件下僅� 3.5mΩ,有效減少功率損��
2. 快速開�(guān)性能,確保在高頻工作時維持高效能�
3. 高耐熱能力,能夠在極端溫度范圍�(nèi)�(wěn)定運��
4. �(nèi)置反向二極管,簡化電路設(shè)計并提高可靠��
5. 符合 RoHS 標準,綠色環(huán)��
6. 強大的浪涌電流承受能�,適合多種嚴苛的應用場景�
HDDB01NSB-P4 廣泛應用于多個領(lǐng)�,包括但不限于以下方面:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的功率級開�(guān)元件�
2. 工業(yè)�(shè)備中的電機驅(qū)動與控制�
3. 汽車電子系統(tǒng)中的負載切換和保護�
4. 消費類電子產(chǎn)品中� DC/DC �(zhuǎn)換器�
5. LED 照明�(qū)動及�(diào)光控��
6. 各種需要高性能功率開關(guān)的應用場��
IRFZ44N
FDP5800
STP12NM60E