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HGTG20N60B3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/22 18:56:28 查看 閱讀�19

HGTG20N60B3 是一款基于超�(jié)(Super Junction)技�(shù)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件適用于高電壓、高效率的應(yīng)用場(chǎng)�,例如開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及逆變器等。其�(shè)�(jì)旨在提供低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)性能,從而降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
  這款 MOSFET 的最大漏源極耐壓� 600V,使其非常適合在高壓�(huán)境中使用。同�(shí),它的導(dǎo)通電阻較�,能夠有效減少傳�(dǎo)損耗�

參數(shù)

最大漏源極電壓�600V
  連續(xù)漏極電流�20A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�150mΩ
  柵極-源極電壓(最大值):�20V
  總電荷量(Qg):80nC
  反向傳輸電容(Crss):45pF
  開關(guān)速度:快�
  封裝形式:TO-247

特�

HGTG20N60B3 具有以下顯著特性:
  1. 超結(jié)技�(shù)的應(yīng)用使得該 MOSFET 在保持高電壓耐受能力的同�(shí),實(shí)�(xiàn)了更低的�(dǎo)通電阻和更小的寄生電容,從而提高了整體效率�
  2. 快速開�(guān)特性降低了開關(guān)損�,適合高頻應(yīng)��
  3. 低反向恢�(fù)電荷和體二極管優(yōu)化設(shè)�(jì),有助于減少振蕩和電磁干擾問��
  4. 極高的雪崩擊穿能力和魯棒�,確保在異常條件下依然可靠工作�
  5. 工業(yè)�(biāo)�(zhǔn) TO-247 封裝,便于集成到各種電路�(shè)�(jì)中�

�(yīng)�

HGTG20N60B3 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS�,包� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�,如無刷直流電機(jī)(BLDC)和步�(jìn)電機(jī)�
  3. 太陽能逆變器及�(chǔ)能系�(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換模��
  4. 高效 LED �(qū)�(dòng)電路�
  5. 各種工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理單��
  6. 電動(dòng)車充電基�(chǔ)�(shè)施中的功率開�(guān)元件�

替代型號(hào)

HGTG20N60D3, IRFP460, FDP18N60C

hgtg20n60b3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

hgtg20n60b3資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
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hgtg20n60b3參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝150
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭IGBT - 單路
  • 系列-
  • IGBT 類型-
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)600V
  • Vge, Ic�(shí)的最大Vce(開�2V @ 15V�20A
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)40A
  • 功率 - 最�165W
  • 輸入類型�(biāo)�(zhǔn)�
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-247-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-247
  • 包裝管件