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HGTG20N60B3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/22 18:56:28 查看 閱讀：19

HGTG20N60B3 是一款基于超結(jié)（Super Junction）技術(shù)的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET。該器件適用于高電壓、高效率的應(yīng)用場(chǎng)景，例如開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及逆變器等。其設(shè)計(jì)旨在提供低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)性能，從而降低功耗并提高系統(tǒng)效率。
　　這款 MOSFET 的最大漏源極耐壓為 600V，使其非常適合在高壓環(huán)境中使用。同時(shí)，它的導(dǎo)通電阻較低，能夠有效減少傳導(dǎo)損耗。

參數(shù)

最大漏源極電壓：600V
　　連續(xù)漏極電流：20A
　　導(dǎo)通電阻（典型值）：150mΩ
　　柵極-源極電壓（最大值）：±20V
　　總電荷量（Qg）：80nC
　　反向傳輸電容（Crss）：45pF
　　開關(guān)速度：快速
　　封裝形式：TO-247

特性

HGTG20N60B3 具有以下顯著特性：
　　1. 超結(jié)技術(shù)的應(yīng)用使得該 MOSFET 在保持高電壓耐受能力的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)了更低的導(dǎo)通電阻和更小的寄生電容，從而提高了整體效率。
　　2. 快速開關(guān)特性降低了開關(guān)損耗，適合高頻應(yīng)用。
　　3. 低反向恢復(fù)電荷和體二極管優(yōu)化設(shè)計(jì)，有助于減少振蕩和電磁干擾問題。
　　4. 極高的雪崩擊穿能力和魯棒性，確保在異常條件下依然可靠工作。
　　5. 工業(yè)標(biāo)準(zhǔn) TO-247 封裝，便于集成到各種電路設(shè)計(jì)中。

應(yīng)用

HGTG20N60B3 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開關(guān)模式電源（SMPS），包括 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
　　2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制，如無刷直流電機(jī)（BLDC）和步進(jìn)電機(jī)。
　　3. 太陽能逆變器及儲(chǔ)能系統(tǒng)中的功率轉(zhuǎn)換模塊。
　　4. 高效 LED 驅(qū)動(dòng)電路。
　　5. 各種工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理單元。
　　6. 電動(dòng)車充電基礎(chǔ)設(shè)施中的功率開關(guān)元件。

替代型號(hào)

HGTG20N60D3, IRFP460, FDP18N60C

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hgtg20n60b3參數(shù)

  • 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝150
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭IGBT - 單路
  • 系列-
  • IGBT 類型-
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）600V
  • Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）2V @ 15V，20A
  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大）40A
  • 功率 - 最大165W
  • 輸入類型標(biāo)準(zhǔn)型
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-247-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝TO-247
  • 包裝管件