HGTP12N60C3D 是一款基� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET 技�(shù)的高壓功率晶體管。該器件采用了先�(jìn)的溝槽式工藝,具有較低的�(dǎo)通電阻和�(yōu)秀的開�(guān)性能,適用于高頻開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC �(zhuǎn)換器以及各類工業(yè)控制�(yīng)��
此型號中� '12' 表示連續(xù)漏極電流� 12A(在特定條件下)�'60' 表示其額定阻斷電壓為 600V,� 'C3D' 則表示第三代改�(jìn)型產(chǎn)�,優(yōu)化了�(dòng)�(tài)性能與熱�(wěn)定��
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�12A
峰值脈沖漏極電流:36A
�(dǎo)通電阻:150mΩ(典型值)
柵極-源極電壓:�20V
工作溫度范圍�-55� � +175�
總功耗:200W
HGTP12N60C3D 具有以下顯著特點(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)速度,能夠適�(yīng)高頻�(yīng)用場景的需求�
3. 提供良好的雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件的魯棒��
4. �(yōu)化的 Qg(柵極電荷)�(shè)�(jì),降低了�(qū)�(dòng)損耗�
5. 小型封裝選項(xiàng)支持高功率密度設(shè)�(jì)�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代化制造流��
這些特性使 HGTP12N60C3D 在高性能電力電子�(shè)備中表現(xiàn)�(yōu)異�
HGTP12N60C3D 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)及適配��
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控制電��
3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模��
4. 新能源領(lǐng)域如太陽能逆變器和電動(dòng)車充電裝��
5. DC-DC �(zhuǎn)換器� PFC(功率因�(shù)校正)電��
由于其出色的性能,該器件特別適合需要高效能、高可靠性的�(fù)雜電力系�(tǒng)�
IRFP460, STP12NM60, FQA12N65S