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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > HGTP12N60C3D

HGTP12N60C3D 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/25 14:17:53 查看 閱讀�42

HGTP12N60C3D 是一款基� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET 技�(shù)的高壓功率晶體管。該器件采用了先�(jìn)的溝槽式工藝,具有較低的�(dǎo)通電阻和�(yōu)秀的開�(guān)性能,適用于高頻開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC �(zhuǎn)換器以及各類工業(yè)控制�(yīng)��
  此型號中� '12' 表示連續(xù)漏極電流� 12A(在特定條件下)�'60' 表示其額定阻斷電壓為 600V,� 'C3D' 則表示第三代改�(jìn)型產(chǎn)�,優(yōu)化了�(dòng)�(tài)性能與熱�(wěn)定��

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏極電流�12A
  峰值脈沖漏極電流:36A
  �(dǎo)通電阻:150mΩ(典型值)
  柵極-源極電壓:�20V
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  總功耗:200W

特�

HGTP12N60C3D 具有以下顯著特點(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)速度,能夠適�(yīng)高頻�(yīng)用場景的需求�
  3. 提供良好的雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件的魯棒��
  4. �(yōu)化的 Qg(柵極電荷)�(shè)�(jì),降低了�(qū)�(dòng)損耗�
  5. 小型封裝選項(xiàng)支持高功率密度設(shè)�(jì)�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代化制造流��
  這些特性使 HGTP12N60C3D 在高性能電力電子�(shè)備中表現(xiàn)�(yōu)異�

�(yīng)�

HGTP12N60C3D 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)及適配��
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控制電��
  3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模��
  4. 新能源領(lǐng)域如太陽能逆變器和電動(dòng)車充電裝��
  5. DC-DC �(zhuǎn)換器� PFC(功率因�(shù)校正)電��
  由于其出色的性能,該器件特別適合需要高效能、高可靠性的�(fù)雜電力系�(tǒng)�

替代型號

IRFP460, STP12NM60, FQA12N65S

hgtp12n60c3d推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
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hgtp12n60c3d參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝400
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭IGBT - 單路
  • 系列-
  • IGBT 類型-
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)600V
  • Vge, Ic�(shí)的最大Vce(開�2.2V @ 15V�15A
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)24A
  • 功率 - 最�104W
  • 輸入類型�(biāo)�(zhǔn)�
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-220AB
  • 包裝管件