HM2P09PD5110N9LF是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動和負載開關(guān)等領(lǐng)�。該器件采用先進的制程工藝制�,具有低導通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能,能夠顯著提高系�(tǒng)的效率并降低功��
這款MOSFET為N溝道增強型器件,通過�(yōu)化的柵極電荷�(shè)計實�(xiàn)了更低的能量損�,同時具備強大的雪崩能力以應(yīng)對突�(fā)的過壓狀況。其封裝形式通常為緊湊型表面貼裝,適用于對空間要求嚴格的�(xiàn)代電子設(shè)��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�10A
導通電阻:4mΩ
柵極電荷�35nC
開關(guān)速度�10ns
工作溫度范圍�-55℃至150�
1. 極低的導通電阻(Rds(on)),能夠在高電流�(yīng)用中減少傳導損��
2. 高效的開�(guān)性能,適合高頻操作環(huán)境�
3. �(nèi)置ESD保護電路,增強器件的可靠��
4. 小尺寸封�,支持高密度PCB布局�(shè)計�
5�(huán)保無鉛材料制��
6. 強大的熱�(wěn)定性,確保在極端溫度條件下的正常運��
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
3. 電機�(qū)動電路中的功率級元件�
4. 負載開關(guān)及保護電路中的充放電控制開關(guān)�
6. 各類工業(yè)自動化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)部件�
IRFZ44N, FQP50N06L, AO3400