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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > HMC435AMS8GE

HMC435AMS8GE 發(fā)布時間 時間�2025/5/15 14:50:21 查看 閱讀�21

HMC435AMS8GE是Analog Devices(ADI)旗下的一款砷化鎵(GaAs)贗晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)單片微波集成電路(MMIC)功率放大器。該器件工作頻率范圍�10�20 GHz,采�+12V電源供電,通常用于點對點無線電、VSAT和測試設備等應用領域�
  此芯片設計緊湊,集成了內(nèi)部匹配網(wǎng)絡以簡化系統(tǒng)集成,同時提供出色的線性度和增益性能,使其成為寬帶通信系統(tǒng)的理想選擇�

參數(shù)

型號:HMC435AMS8GE
  頻率范圍�10 GHz � 20 GHz
  增益�16 dB(典型�,在15 GHz時)
  輸出1 dB壓縮點:+27 dBm(典型�,在15 GHz時)
  飽和輸出功率�+30 dBm(典型�,在15 GHz時)
  回波損耗:輸入�15 dB(最小�,在15 GHz時),輸出端10 dB(最小值,�15 GHz時)
  電源電壓�+12 V
  靜態(tài)電流�250 mA
  封裝形式:S8(無引腳表面貼裝陶瓷封裝�

特�

HMC435AMS8GE是一款高性能的MMIC功率放大�,具有以下顯著特點:
  1. 高增益:在寬廣的頻率范圍�(nèi)保持�(wěn)定的增益表現(xiàn),特別是�15 GHz附近達到16 dB的典型��
  2. 強大的輸出功率:能夠實現(xiàn)高達+30 dBm的飽和輸出功率以�+27 dBm�1 dB壓縮點輸出功��
  3. �(nèi)部匹配網(wǎng)絡:�(yōu)化的輸入和輸出匹配電路減少了對外部元件的需�,從而降低了整體設計復雜性和成本�
  4. 寬帶操作能力:覆�10 GHz�20 GHz的頻率范�,適用于多種無線通信應用場景�
  5. 簡化的偏置要求:只需單一+12 V電源即可正常運行,并且內(nèi)置保護二極管確保安全操作�
  6. 小型化設計:采用緊湊的S8封裝,便于安裝于空間受限的環(huán)境之��

應用

HMC435AMS8GE主要應用于需要高功率和高效率的射頻及微波通信系統(tǒng)�,具體包括:
  1. 點對點無線電鏈路:為長距離數(shù)�(jù)傳輸提供可靠支持�
  2. VSAT終端:增強小型衛(wèi)星通信站的上行鏈路信號強度�
  3. 測試與測量設備:作為信號源或驅動放大器提高測試精��
  4. 軍事與航空航天領域:如雷達系�(tǒng)、電子戰(zhàn)平臺等對于高性能射頻組件有嚴格要求的場合�
  5. 其他寬帶通信基礎設施建設:例如蜂窩網(wǎng)絡回�、微波數(shù)�(jù)鏈路等�

替代型號

HMC436MS8C, HMC437MS8C

hmc435ams8ge推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
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hmc435ams8ge參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�595�(xiàn)�
  • 價格1 : �40.07000�
  • 系列-
  • 包裝
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 射頻類型通用
  • 拓撲-
  • 電路SPDT
  • 頻率范圍0Hz ~ 4GHz
  • 隔離48dB
  • 插損0.8dB
  • 測試頻率2.5GHz
  • P1dB30dBm
  • IIP353dBm
  • 特�-
  • 阻抗50 歐姆
  • 電壓 - 供電5V
  • 工作溫度-40°C ~ 85°C
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼8-TSSOP�8-MSOP�0.118"�3.00mm 寬)裸露焊盤
  • 供應商器件封�8-MSOP-EP