HMC849ALP4CETR 是一款高性能的砷化鎵 (GaAs) 假晶高電子遷移率晶體� (pHEMT),由 Analog Devices(現(xiàn)為ADI)生�(chǎn)。該器件采用塑料�(wú)引線芯片載體 (PLCC) 封裝,適合表面貼裝技�(shù) (SMT)。HMC849ALP4CETR 的設(shè)�(jì)目標(biāo)是為射頻和微波應(yīng)用提供高增益、低噪聲和寬帶寬性能�
HMC840 系列中的這款具體型號(hào)適用于高�(dá) 40GHz 的頻率范圍,并且能夠支持多種通信系統(tǒng)、測(cè)試設(shè)備和雷達(dá)系統(tǒng)的射頻信�(hào)放大需��
封裝:PLCC-4
工作頻率范圍:DC � 40 GHz
增益�12 dB 典型�
噪聲系數(shù):小� 1.5 dB
輸出功率�1 dB 壓縮�(diǎn)):大于 +20 dBm
電源電壓�+3.3V � +5V
靜態(tài)電流:典型值為 65mA
最大輸�/輸出匹配阻抗�50 歐姆
工作溫度范圍�-55°C � +105°C
提供了出色的射頻性能,具有高增益和低噪聲特點(diǎn),同�(shí)其寬帶寬使其非常適合于多頻段操作。它在高頻條件下仍能保持�(wěn)定的工作狀�(tài),并且易于與�(biāo)�(zhǔn) 50 歐姆系統(tǒng)集成�
由于其采� pHEMT 技�(shù),該芯片在高頻段表現(xiàn)出極低的噪聲水平,這對(duì)于需要高靈敏度接收的�(yīng)用非常重�。此�,它支持較低的供電電�,從而降低了功耗并�(jiǎn)化了電源�(shè)�(jì)�
此款器件還具備優(yōu)良的散熱性能,能夠在較高溫度�(huán)境下持續(xù)�(yùn)行而不�(huì)顯著影響其電氣特��
- 軍用及民用雷�(dá)系統(tǒng)
- �(wèi)星通信終端
- 微波�(diǎn)�(duì)�(diǎn)鏈路
- 高速數(shù)�(jù)�(zhuǎn)換器�(qū)�(dòng)�
- �(cè)試測(cè)�?jī)x�
- 5G 和其他無(wú)線通信基礎(chǔ)�(shè)�
它的高頻能力和低噪聲�(yōu)�(shì)使得它成為許多高性能系統(tǒng)的理想選擇�
HMC849ALP4E