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HMK325C7475KM-P 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/4/29 9:36:56 查看 閱讀：37

HMK325C7475KM-P是一款高性能的功率MOSFET芯片，專(zhuān)為高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件采用先進(jìn)的制造工藝，能夠提供低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)性能，適用于各種電源管理場(chǎng)景，包括開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和DC-DC轉(zhuǎn)換器等。其封裝形式緊湊，適合高密度布局需求，同時(shí)具備良好的熱穩(wěn)定性和電氣特性。

參數(shù)

型號(hào)：HMK325C7475KM-P
　　類(lèi)型：N溝道增強(qiáng)型MOSFET
　　最大漏源電壓(Vds)：75V
　　最大柵源電壓(Vgs)：±20V
　　連續(xù)漏極電流(Id)：25A
　　導(dǎo)通電阻(Rds(on))：4.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　柵極電荷(Qg)：65nC
　　總功耗(Ptot)：180W
　　工作溫度范圍(Ta)：-55°C至+175°C
　　封裝形式：TO-247-3

特性

HMK325C7475KM-P具有以下顯著特點(diǎn)：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻確保了在大電流應(yīng)用中的高效運(yùn)行，減少了功率損耗。
　　2. 快速開(kāi)關(guān)速度降低了開(kāi)關(guān)損耗，提升了系統(tǒng)的整體效率。
　　3. 高耐壓能力使其能夠在復(fù)雜的工作環(huán)境下保持穩(wěn)定性。
　　4. 優(yōu)化的熱設(shè)計(jì)提高了散熱性能，延長(zhǎng)了器件壽命。
　　5. 支持高頻率操作，適合現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)小型化和高效率的需求。
　　6. 廣泛的工作溫度范圍使其適應(yīng)多種極端環(huán)境條件。

應(yīng)用

HMK325C7475KM-P廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)，用于實(shí)現(xiàn)高效的AC-DC或DC-DC轉(zhuǎn)換。
　　2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，適用于工業(yè)控制和消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品中的無(wú)刷直流電機(jī)控制。
　　3. 逆變器和UPS電源，用于能源管理和應(yīng)急供電系統(tǒng)。
　　4. 電動(dòng)汽車(chē)(EV)和混合動(dòng)力汽車(chē)(HEV)的電力管理系統(tǒng)。
　　5. 充電器電路，如筆記本電腦充電器和手機(jī)快充解決方案。
　　6. 各種工業(yè)自動(dòng)化和通信設(shè)備的電源模塊。

替代型號(hào)

HMK325C7475KM-N, IRF7475, FDP7475

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