HMK325C7475KM-P是一款高性能的功率MOSFET芯片,專(zhuān)為高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,能夠提供低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)性能,適用于各種電源管理場(chǎng)景,包括開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和DC-DC轉(zhuǎn)換器等。其封裝形式緊湊,適合高密度布局需求,同時(shí)具備良好的熱穩(wěn)定性和電氣特性。
型號(hào):HMK325C7475KM-P
類(lèi)型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電壓(Vds):75V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):25A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
柵極電荷(Qg):65nC
總功耗(Ptot):180W
工作溫度范圍(Ta):-55°C至+175°C
封裝形式:TO-247-3
HMK325C7475KM-P具有以下顯著特點(diǎn):
1. 極低的導(dǎo)通電阻確保了在大電流應(yīng)用中的高效運(yùn)行,減少了功率損耗。
2. 快速開(kāi)關(guān)速度降低了開(kāi)關(guān)損耗,提升了系統(tǒng)的整體效率。
3. 高耐壓能力使其能夠在復(fù)雜的工作環(huán)境下保持穩(wěn)定性。
4. 優(yōu)化的熱設(shè)計(jì)提高了散熱性能,延長(zhǎng)了器件壽命。
5. 支持高頻率操作,適合現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)小型化和高效率的需求。
6. 廣泛的工作溫度范圍使其適應(yīng)多種極端環(huán)境條件。
HMK325C7475KM-P廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS),用于實(shí)現(xiàn)高效的AC-DC或DC-DC轉(zhuǎn)換。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),適用于工業(yè)控制和消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品中的無(wú)刷直流電機(jī)控制。
3. 逆變器和UPS電源,用于能源管理和應(yīng)急供電系統(tǒng)。
4. 電動(dòng)汽車(chē)(EV)和混合動(dòng)力汽車(chē)(HEV)的電力管理系統(tǒng)。
5. 充電器電路,如筆記本電腦充電器和手機(jī)快充解決方案。
6. 各種工業(yè)自動(dòng)化和通信設(shè)備的電源模塊。
HMK325C7475KM-N, IRF7475, FDP7475