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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > HN1K03FU

HN1K03FU 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/30 14:30:59 查看 閱讀�31

HN1K03FU是一款高性能的MOSFET功率晶體�,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器等電力電子領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱穩(wěn)定�,能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和可靠��
  HN1K03FU為N溝道增強(qiáng)型MOSFET,其封裝形式通常為TO-220或DPAK,適用于中高功率�(yīng)用場(chǎng)�。憑借其卓越的電氣性能和可靠�,這款器件廣泛用于消費(fèi)類電子產(chǎn)�、工�(yè)�(shè)備以及汽車電子系�(tǒng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�30A
  �(dǎo)通電阻:3mΩ
  柵極電荷�45nC
  輸入電容�1200pF
  開關(guān)�(shí)間:ton=8ns, toff=15ns
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

HN1K03FU的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠在高電流條件下減少功率損�,提升整體效率�
  2. 高速開�(guān)能力,支持高頻操�,有助于減小�(wú)源元件體積并�(yōu)化系�(tǒng)�(shè)�(jì)�
  3. �(qiáng)大的浪涌電流承受能力,適合在惡劣�(huán)境下工作�
  4. �(nèi)置反向恢�(fù)二極�,降低開�(guān)噪聲和振蕩風(fēng)�(xiǎn)�
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全可靠�
  6. 良好的熱性能,具備較高的�(jié)溫耐受能力,可適應(yīng)�(yán)苛的工作條件�

�(yīng)�

HN1K03FU廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開�(guān)�
  2. 各類電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)控制�
  3. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流和主開關(guān)�
  4. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換與保護(hù)�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模��
  6. LED照明�(qū)�(dòng)中的高效功率�(zhuǎn)換部分�

替代型號(hào)

IRFZ44N
  STP30NF06L
  FDP17N6
  IXFN40N06T2

hn1k03fu推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

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