HRT10L200SCT是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用Trench工藝制�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�。該器件適用于各種高效率�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開(kāi)�(guān)等應(yīng)用領(lǐng)域�
該型�(hào)的封裝形式為SOT-23,具有小體積、高散熱性能的特�(diǎn),適合對(duì)空間要求較高的設(shè)�(jì)�(huán)��
最大漏源電�(Vds)�100V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�2A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�200mΩ
柵極電荷(Qg)�8nC
�(kāi)�(guān)速度:快�
工作溫度范圍�-55� to +150�
HRT10L200SCT的主要特性包括:
1. 超低�(dǎo)通電阻,可有效降低功率損��
2. 快速開(kāi)�(guān)特�,支持高頻操作,減少�(kāi)�(guān)損��
3. 高擊穿電壓能力,確保在高壓環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
4. 小型化封�,節(jié)省PCB布局空間�
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
6. 提供�(yōu)異的熱性能,增�(qiáng)�(zhǎng)期穩(wěn)定性�
該芯片廣泛應(yīng)用于多種電子�(shè)備中,包括但不限于:
1. �(kāi)�(guān)電源適配器中的同步整��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率�(kāi)�(guān)�
3. 電池管理系統(tǒng)中的�(fù)載控��
4. 消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品的保護(hù)電路�
5. 小型電機(jī)�(qū)�(dòng)電路�
6. 各種手持�(shè)備中的高效開(kāi)�(guān)解決方案�
HRT10L150SC, HRT10L250SCT, Si2302DS