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HUFA76633S3S 發(fā)布時間 時間�2025/4/30 20:04:22 查看 閱讀�34

HUFA76633S3S是一款高性能的MOSFET功率晶體�,屬于N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體�。該器件主要�(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�、負(fù)載開�(guān)以及其他需要高效能和低�(dǎo)通損耗的�(yīng)用場景中。其�(shè)�(jì)采用先�(jìn)的制造工�,具備優(yōu)異的電氣特性和可靠性,同時支持表面貼裝(SMD)封裝形�,便于自動化生產(chǎn)�
  HUFA76633S3S具有較低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠顯著降低功率損耗,提升系統(tǒng)的整體效�。此�,該器件還具備較高的雪崩擊穿能力和熱�(wěn)定性,確保在極端條件下的可靠運(yùn)��

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  封裝:SOT-223
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  持續(xù)漏極電流(Id)�33A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�3.8mΩ(典型值,Vgs=10V時)
  總功�(Ptot)�140W
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�

特�

HUFA76633S3S的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少�(dǎo)通損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 高電流承載能力,可滿足大功率�(yīng)用需��
  3. �(yōu)秀的熱性能表現(xiàn),確保長時間�(wěn)定運(yùn)��
  4. 支持表面貼裝技�(shù)(SMD�,簡化了PCB�(shè)�(jì)與制造流程�
  5. 較寬的工作溫度范�,適�(yīng)各種惡劣�(huán)��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
  這些特點(diǎn)使HUFA76633S3S成為眾多高功率密度應(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

HUFA76633S3S廣泛適用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS�,如AC-DC適配器、充電器��
  2. 電機(jī)�(qū)動電�,用于控制直流無刷電�(jī)或步�(jìn)電機(jī)�
  3. �(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路,為下游�(shè)備提供過流保�(hù)�
  4. 汽車電子系統(tǒng)中的功率管理模塊�
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換電��
  6. 其他需要高效能、低損耗功率開�(guān)的應(yīng)用場��

替代型號

IRFZ44N, FDP5570, STP32NF06L

hufa76633s3s推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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hufa76633s3s�(chǎn)�

hufa76633s3s參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝50
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列UltraFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C39A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C35 毫歐 @ 39A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs67nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1820pF @ 25V
  • 功率 - 最�145W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-263-3,D²Pak�2 引線+接片�,TO-263AB
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�D²PAK
  • 包裝管件