HYG013N04NA1B6是一款高性能的MOSFET(金�-氧化�-半導體場效應晶體管),主要用于功率轉(zhuǎn)�、電機驅(qū)動和電源管理等應用。該器件采用先進的制造工�,具備低導通電阻和快速開關速度的特點,適用于需要高效率和低損耗的應用場景�
這款MOSFET屬于N溝道增強�,具有出色的熱性能和電氣性能,能夠滿足現(xiàn)代電子設備對高效能和可靠性的要求�
型號:HYG013N04NA1B6
類型:N溝道MOSFET
VDS(漏源極電壓):40V
RDS(on)(導通電�,典型值)�1.3mΩ
IDS(連續(xù)漏極電流):130A
VGS(th)(柵極開啟電壓)�2.5V�4.5V
Qg(總柵極電荷):80nC
EAS(雪崩能量)�1.2J
封裝形式:TO-247
HYG013N04NA1B6具有以下顯著特性:
1. 極低的導通電阻(RDS(on)�1.3mΩ�,可以有效降低導通損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 高電流處理能力(最大連續(xù)漏極電流可達130A�,適合大功率應用�
3. 快速開關速度,有助于減少開關損耗并提高工作頻率�
4. 良好的熱性能,確保在高溫�(huán)境下仍能�(wěn)定運��
5. 支持寬范圍的柵極�(qū)動電壓,兼容多種�(qū)動電路設��
6. 具備一定的雪崩能量承受能力,增強了器件的魯棒��
該芯片廣泛應用于以下領域�
1. 開關電源(SMPS)中的功率開關元件�
2. 電動工具、家用電器及工業(yè)設備中的電機�(qū)動�
3. 新能源汽車的逆變器模��
4. 太陽能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換�
5. 各種DC-DC�(zhuǎn)換器和負載開��
由于其卓越的性能,HYG013N04NA1B6成為這些應用中實�(xiàn)高效、緊湊設計的理想選擇�
IRFP2907, STP130NF04