HYG013N04NA1B6 時間：2025/5/23 21:29:45 閱讀：15

HYG013N04NA1B6是一款高性能的MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管），主要用于功率轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動和電源管理等應用。該器件采用先進的制造工藝，具備低導通電阻和快速開關速度的特點，適用于需要高效率和低損耗的應用場景。
　　這款MOSFET屬于N溝道增強型，具有出色的熱性能和電氣性能，能夠滿足現(xiàn)代電子設備對高效能和可靠性的要求。

參數(shù)

型號：HYG013N04NA1B6
　　類型：N溝道MOSFET
　　VDS（漏源極電壓）：40V
　　RDS(on)（導通電阻，典型值）：1.3mΩ
　　IDS（連續(xù)漏極電流）：130A
　　VGS(th)（柵極開啟電壓）：2.5V～4.5V
　　Qg（總柵極電荷）：80nC
　　EAS（雪崩能量）：1.2J
　　封裝形式：TO-247

特性

HYG013N04NA1B6具有以下顯著特性：
　　1. 極低的導通電阻（RDS(on)為1.3mΩ），可以有效降低導通損耗，提升系統(tǒng)效率。
　　2. 高電流處理能力（最大連續(xù)漏極電流可達130A），適合大功率應用。
　　3. 快速開關速度，有助于減少開關損耗并提高工作頻率。
　　4. 良好的熱性能，確保在高溫環(huán)境下仍能穩(wěn)定運行。
　　5. 支持寬范圍的柵極驅(qū)動電壓，兼容多種驅(qū)動電路設計。
　　6. 具備一定的雪崩能量承受能力，增強了器件的魯棒性。

應用

該芯片廣泛應用于以下領域：
　　1. 開關電源（SMPS）中的功率開關元件。
　　2. 電動工具、家用電器及工業(yè)設備中的電機驅(qū)動。
　　3. 新能源汽車的逆變器模塊。
　　4. 太陽能逆變器和其他可再生能源系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換。
　　5. 各種DC-DC轉(zhuǎn)換器和負載開關。
　　由于其卓越的性能，HYG013N04NA1B6成為這些應用中實現(xiàn)高效、緊湊設計的理想選擇。