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IDT39C10CDB 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/28 9:01:02 查看 閱讀�31

IDT39C10CDB是IDT公司推出的一款CMOS工藝制造的低功耗靜�(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM�,采�1Mb�128K x 8)存�(chǔ)容量�(shè)�(jì)。該芯片具有快速訪�(wèn)�(shí)�、低功耗以及高可靠性的特點(diǎn),適用于各種需要高性能�(shù)�(jù)存儲(chǔ)的應(yīng)用場(chǎng)�。其工作電壓范圍�4.5V�5.5V,適合工�(yè)和商�(yè)�(jí)�(yīng)用�
  該器件采用了高速CMOS技�(shù),提供了非常短的�(shù)�(jù)訪問(wèn)�(shí)間,同時(shí)保持了較低的功耗水�。此�,它支持全靜�(tài)操作,無(wú)需刷新周期,簡(jiǎn)化了系統(tǒng)�(shè)�(jì)�

參數(shù)

存儲(chǔ)容量�1Mb (128K x 8)
  訪問(wèn)�(shí)間:7ns/10ns
  工作電壓�4.5V � 5.5V
  封裝形式�44-Pin Ceramic Quad Flat Pack (CQFP)
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C
  �(shù)�(jù)保持�(shí)間:�(wú)限期
  引腳兼容性:與行�(yè)�(biāo)�(zhǔn) SRAM 兼容

特�

IDT39C10CDB是一款專為高性能�(yīng)用而設(shè)�(jì)的SRAM芯片,具備以下主要特性:
  1. 高速性能:提�7ns�10ns兩種典型訪問(wèn)�(shí)間選�(xiàng),滿足高速數(shù)�(jù)處理需��
  2. 超低功耗:在待�(jī)模式下,芯片能夠?qū)崿F(xiàn)極低的電流消�,非常適合對(duì)功耗敏感的�(shè)�(jì)�
  3. 全靜�(tài)操作:無(wú)需外部�(shí)鐘或刷新電路,簡(jiǎn)化了系統(tǒng)�(shè)�(jì)并提高了可靠��
  4. 商業(yè)及工�(yè)�(jí)溫度范圍:能夠在-40°C�+85°C的溫度范圍內(nèi)�(wěn)定工�,適�(yīng)多種�(huán)境條��
  5. 高可靠性:通過(guò)�(yán)格的�(cè)試和篩選,確保在�(zhǎng)�(shí)間運(yùn)行中的穩(wěn)定��
  6. 引腳兼容性:與主流SRAM�(chǎn)品保持一致的引腳排列,便于升�(jí)和替代現(xiàn)有設(shè)�(jì)�

�(yīng)�

IDT39C10CDB廣泛�(yīng)用于需要高性能�(shù)�(jù)存儲(chǔ)的各種領(lǐng)�,包括但不限于:
  1. 工業(yè)控制�(shè)備:如PLC、運(yùn)�(dòng)控制器等,用于存�(chǔ)�(shí)�(shí)�(yùn)行數(shù)�(jù)�
  2. �(wǎng)�(luò)通信�(shè)備:如路由器、交換機(jī)�,用于緩存臨�(shí)�(shù)�(jù)以提高傳輸效率�
  3. �(yī)療電子設(shè)備:如超聲波儀�、監(jiān)�(hù)儀�,用于保存關(guān)鍵診斷信��
  4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:如數(shù)碼相�(jī)、游戲機(jī)�,用于提升系�(tǒng)響應(yīng)速度�
  5. 嵌入式系�(tǒng):作為高速緩存或臨時(shí)�(shù)�(jù)存儲(chǔ)單元,增�(qiáng)系統(tǒng)的整體性能�

替代型號(hào)

IS61C1024AL-10TLI, CY62118EV30LL, MT5C1024B-10JTC

idt39c10cdb推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)