IMN10是一款高性能的MOSFET功率晶體�,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器等場景。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具備低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能,適合需要高效能和高可靠性的�(yīng)用環(huán)��
IMN10通常以表面貼裝封裝形式提供,能夠顯著減少系統(tǒng)功耗并提升整體效率�
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�10A
�(dǎo)通電阻:4mΩ
總柵極電荷:25nC
開關(guān)�(shí)間:ton=13ns, toff=18ns
工作�(jié)溫范圍:-55� to +175�
IMN10具有以下主要特點(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于降低傳�(dǎo)損�,提高效率�
2. 快速的開關(guān)性能,能夠適�(yīng)高頻�(yīng)用需求�
3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件在異常情況下的耐受��
4. 緊湊的封裝設(shè)�(jì),節(jié)省PCB空間,便于集成到小型化設(shè)�(jì)��
5. 出色的熱�(wěn)定性,在高溫環(huán)境下依然保持�(yōu)異性能�
IMN10適用于多種電力電子應(yīng)用領(lǐng)域,包括但不限于�
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)��
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的橋式配置�
3. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率開�(guān)元件�
4. 逆變器及光伏系統(tǒng)的功率調(diào)節(jié)模塊�
5. 各種工業(yè)控制和汽車電子設(shè)備中的負(fù)載切換功��
IRF540N
STP10NK60Z
FDP150AN
AO3400